STM32F4内部Flash模拟EEPROM的问题

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 楼主| 肉坨坨 发表于 2018-7-11 20:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
看了“正点原子”的例程,在擦除Flash扇区之前并没有本地保存扇区数据(例程中也写到了STM32F4的扇区太大了)。
但是实际应用中,我们往往是需要在某个扇区里保存多个变量的数据,而每次只修改其中某一个变量的数据。
这样,如果在擦除Flash扇区之前没有本地保存数据的话,这些数据都被清除掉。
为了避免这种情况,我的想法是这样的:
假设有100个变量需要保存在Flash中,每个变量的存储长度是4个字节,那么事先在RAM中开辟400个字节的缓存空间。
在每次擦除Flash扇区之前,将100个变量从Flash中读出到RAM中的缓存空间中来,等擦除扇区之后,再将这400个字节
的缓存数据写入到Flash中,这样就保证了所有需要的变量数据都不会被擦除。
实际就是以较小的RAM开销来本地保存扇区数据。
忧郁的茄子 发表于 2022-10-16 11:29 | 显示全部楼层
F4只要前面几个扇区是16KB的,后面的扇区都是128KB,太大了。如果我想要缓存这128KB的数据,不知道怎么做,因为RAM也没这么大啊。
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