[技术讨论] 双管反激变压器MOS管发热

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 楼主| tan314474991 发表于 2021-5-19 16:03 | 显示全部楼层
这是Vgs波形   可以看到有一个约2V的尖峰

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tianxj01 发表于 2021-9-3 17:51 | 显示全部楼层
tan314474991 发表于 2021-5-19 10:23
king老师,我把比较完整的电路图发到这里,您看一下

采用半桥驱动芯片来驱动双管反激或者正激都是错误的设计,原因很简单,这类芯片,都有非常明确的死区,可以保证上下半桥不会有同时开通的时候,凡是芯片上下臂中间有个VS公共端的,应该是采用了典型的半桥驱动芯片,我知道你们选择的是双管输入逻辑同相的,然后指望同一输入电平可以同时输出高电平栅极驱动信号,但是很多驱动芯片会在内在芯片逻辑上阻止同时输出高电平的设计,所以这种情况,系统不可能会正常,换言之,内部哪怕只有死区控制,则上下高电平时间差,就会导致,栅极关断时间不一样,这种情况,会导致事实上关断时候,永远是一个管子在起作用,所有关断功耗,都由该管子承担,这就应该是导致一个管子远远比另外一个热的原因。这里不讨论开启是因为,开启电流很小,基本归零,所以开启功耗可以不讨论。
关于变压器很热,发现你采用的工作频率是90KHz,不知道你采用的什么磁芯,反激如果做这么频率,哪怕PC44的料,磁损都会非常大,热就变得很正常。看你电流波形没有弯曲上翘,所以这里完全可以排除变压器饱和什么的问题了。
tianxj01 发表于 2021-9-3 17:58 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2021-5-17 21:23
自举电容放电路径经过两个电阻共20欧姆,应评估是否降低,计算或仿真。
驱动芯片的HO要比LO慢一个短暂时 ...

一个双管反激,这边属于落后的线路,已经接近淘汰了,居然还弄得那么神秘。
他这个方案,驱动方法本身就有问题。其实双管反激,最好做的就是变压器驱动,如果非要用芯片,那么必须选择那种独立2路供电2路输出的芯片,你可以理解为2个单路低边驱动芯片,至于上管驱动电源采用常规的浮栅驱动供电就可以了。
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