W25Q80

发表于 2021-6-6 09:55

本帖最后由 tianxiongweitxw 于 2021-6-12 20:21 编辑

有人用过W25Q80串行存储芯片吗？每次写的数量不超过256B，不能超过页边界；我现在有一个问题，如果写的起始地址为254，那我是不是只能写一个字节？多写一个就超出本次的页边界了。还有CS引脚是每写一个字节都要重新拉低吗？

发表于 2021-6-6 12:18

是的

发表于 2021-6-6 21:18

是的，写一个字节就翻页、做好翻页算法。上层应用只填地址即可，

发表于 2021-6-6 22:17

执行写操作时，先计算开头、结尾不足1页（或者是块、扇区）的数据，然后就是满页的。

发表于 2021-6-12 19:15

调试失败，数据写不进去，是不是写或者读每一个字节前都要写入地址？还是说我只用写一个地址，比如我发送读命令后，先发送地址0，然后直接读后面的任意个连续字节，不需要再写地址？

发表于 2021-6-13 09:21

这就能解释，为何昨天就差放问题，百思不得其姐了。
很多电工要【软硬通吃】，精力和时间一定的前提下，模电的理解就不如做纯模拟的深。
当然了，做模拟的对软件的理解，弱于软硬通吃的，而软硬通吃的软件水平低于做纯软的，这个指的平均水平，不排除有例外。

W25Q80

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