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CS70N30ANR技术指标

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 楼主| 深圳美思星科技 发表于 2024-9-3 09:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
NR, AN, AC, 30, CS, 技术
一般描述：CS70N30 ANR，即硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，是通过自对准平面技术获得的，它减少了导通损耗，提高了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-3P （N），符合 RoHS 标准。特点： l 快速开关 l 低导通电阻（Rdson≤42mΩ） l 低栅极电荷（典型数据：136.2nC） l 低反向传输电容（典型值：107pF） l 100% 单脉冲雪崩能量 测试应用：电子镇流器和适配器的电源开关电路。

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