[IDE] 开关管电流 (High-side MOSFET / Low-side MOSFET or Diode):

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dengxining 发表于 2025-8-13 20:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 dengxining 于 2025-8-13 21:16 编辑

开关管电流 (High-side MOSFET / Low-side MOSFET or Diode):

定义: 流过上管(High-side MOSFET)和下管(Low-side MOSFET,在同步整流中)或续流二极管(在非同步整流中)的电流。

波形:

上管导通时 (ton = D * T),流过上管的电流等于电感电流。

下管导通或二极管续流时 (toff = (1 - D) * T),流过下管或二极管的电流等于电感电流。

关键参数:

RMS电流 (Irms): 决定开关管的导通损耗 (Pcond = Irms² * Rds(on) for MOSFET)。计算需要积分电流波形。

峰值电流 (Ipeak): 等于峰值电感电流 (Il_peak)。决定开关管的峰值应力。

重要性: 用于选择开关管的电流额定值(RMS和峰值)并计算其损耗。
星空魔法师 发表于 2025-9-12 09:56 | 显示全部楼层
同步整流和非同步整流中,下管或二极管的电流处理方式不同,这会影响整个电路的效率和损耗。
脑洞星球居民 发表于 2025-9-24 21:07 | 显示全部楼层
RMS电流和峰值电流的计算对于选择合适的MOSFET至关重要,感谢分享这些关键信息。
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