MOS管驱动电路设计

发表于 2025-9-8 15:15

驱动电路应能提供足够的电流，以快速充放电栅极电容，减少开关损耗。

发表于 2025-9-9 11:21

虽然提高开关速度可以降低开关损耗，但过快的开关速度可能会引起过大的电压尖峰或电流变化率，从而损坏器件或引发EMI问题。

发表于 2025-9-9 14:52

驱动电压应保持在MOS管的最大栅极电压范围内。

发表于 2025-9-9 19:42

驱动电压和电流需与 MOS 管的 Vgs、Qg 匹配

发表于 2025-9-10 09:42

开关速度需在损耗和 EMI 之间平衡

发表于 2025-9-10 13:28

低的输出阻抗能够保证驱动电路的输出电压稳定，从而提高MOS管的开关性能。

发表于 2025-9-10 15:21

驱动电压是主要控制因素，但驱动电流同样不可忽视。

发表于 2025-9-10 17:22

在PCB布线时，应尽量缩短驱动线路的长度，并合理布局以减少寄生电感的影响

发表于 2025-9-10 19:32

用于高端驱动，通过自举电容提供驱动电压，适合高侧MOS管的驱动场景

[工业控制] MOS管驱动电路设计