过压保护使用电压比较器好还是三极管MOS管搭？？？？

发表于 2012-7-25 08:48

最近在设计一个大功率的东东要求有过流、过压、过温保护
于是我就开始找资料、画原理图。
于是出现了以下两种方案：
1、使用电压比较器进行电压比较、保护
2、使用分立元器件三极管、MOS管搭

请问，上面两种方式哪种方式比较好呢？各有什么优缺点呢？

发表于 2012-7-25 08:56

路过，帮顶。。

发表于 2012-7-25 09:33

这个跟不少客户都聊过，从反应速度上来说，逻辑门的响应速度最快，其次是比较器，所以用逻辑门或比较器搭建保护电路要比三极管、MOS管的响应速度快

发表于 2012-7-25 10:04

还有就是使用比较器的电路简洁，可靠性高

还有高人出山指点一下吗

发表于 2012-7-25 10:24

看具体条件，可以用TL431+三极管或MOSFET

发表于 2012-7-25 10:36

比较器的速度要比三极管快？？？？这个可以确定吗？有证据可查吗？

发表于 2012-7-25 12:18

比较器是三极管做的吧？

发表于 2012-7-25 13:06

比较器或者逻辑门内部电路都是采用MOS管做的，比较器分多种，也有反映慢的，这里是指高速比较器。三极管有些会给出一个开通时间、关断时间，有些只给出一个特征频率，你对比看看，一般的9013特征频率是150MHz，对应就是6nS，一般的逻辑门，都是2~4ns，高速比较器，一般都可以做到4ns左右。

发表于 2012-7-25 16:25

本帖最后由 xmar 于 2012-7-25 16:27 编辑

一般的9013特征频率是150MHz，对应就是6nS，一般的逻辑门，都是20~40ns，高速逻辑门、高速比较器，才可以做到4ns左右。

发表于 2012-7-25 16:41

与使用电压比较器设计的保护电路比较，虽然三极管有开关速度很快的优点，但最大缺点是稳定性、准确性不够好。当然是假定使用分立元器件搭接简单保护电路的前提下。如果使用分立元器件搭接复杂保护电路的情况下，电路调测复杂、成本大大上升、可靠性减低。还是比较器好。

发表于 2012-7-25 20:25

啥都一样

发表于 2012-7-25 20:25

啥都一样

发表于 2012-7-25 20:39

比较器也不贵，而且稳定可靠，大功率的东西也不在乎这几毛成本啊

发表于 2012-7-26 00:07

抗干扰方面，恐怕是三极管最牛。

发表于 2012-7-26 06:10

晶体管电路: 由于晶体管工作在开关状态, 响应速度慢, 检测精度差, 温度漂移严重. 但电路简单, 工作温度范围宽, 可以轻松实现独立于电源系统外的电源保护. 适应范围宽.
电压比较器: 电压检测精度高, 响应快些. 但是相对电路复杂, 对电源系统的依赖高.

发表于 2012-7-26 08:41

楼上几位有道理，谢谢！
现在已经使用比较器了，ADI公司的。温度范围-40~+125 Ambient Temperature.

发表于 2012-7-26 17:29

不同意三极管开关速度慢的说法。正如7楼所述：比较器是三极管做的。肯定是三极管比IC要快。
大家应该有如下常识：单管比多管串联快，单级放大器比多级放大器快。

发表于 2012-7-26 17:34

比较器速度慢

发表于 2012-7-26 19:30

不同意三极管开关速度慢的说法。正如7楼所述：比较器是三极管做的。肯定是三极管比IC要快。
大家应该有如下常识：单管比多管串联快，单级放大器比多级放大器快。 ...
xmar 发表于 2012-7-26 17:29

要注意分布参数。分立元器件的分布参数远大于集成电路。

发表于 2012-7-28 23:24

用施密特比较器，有时可以使用复位电路来代替。