请教三极管驱动MOS管电路

发表于 2012-12-18 23:33

maychang 发表于 2012-12-18 16:20
固态继电器在这里并不适用。

我一开始以为固态继电器是能提供一个高压电源，那么我的300V就可以用这个实现而不是变压器

发表于 2012-12-19 08:55

本帖最后由 nqyijian 于 2012-12-19 09:04 编辑

楼主精神可嘉，可是基础不太好。给我的感觉应该是研究生在赶毕业设计。你用固态继电器就越偏越远了。

大侠都已经说的很明白了。
第一级用普通三极管共射级放大，倍数不用很高，注意不要深度饱和，基极有放电通道，否则影响开关速度。
第二级接你的图腾柱，减小内阻，增大驱动能力。只是你上面图的图腾柱都错了。
第三级就是你的MOS管了，换高速的二极管。

别人推荐你固态继电器，也是想替换你的MOS管，因为继电器驱动简单。而不是你想象的继电器成电源了。。。。这是哪跟哪啊

登录 · 发表于 2012-12-19 10:33

nqyijian 发表于 2012-12-19 08:55
楼主精神可嘉，可是基础不太好。给我的感觉应该是研究生在赶毕业设计。你用固态继电器就越偏越远了。
maych ...

我咋发现这里面全是高手呢主要高压设备比较贵一般都得好几百，突然看到他这个继电器写的好几百伏就好奇了下。

上面这个是原理图，大侠看下对不（图腾电路前的电阻不知道用不用加）？前面大大侠提到过反相器，这里也得用到，输入是一个正脉冲，从单片机输出的，不然从共射级输出的就是时间相反的负脉冲
（不加反相器从共射级输出的信号）
按照上面的原理图输出有负脉冲，这里又出现几个问题
1它的下降沿时间比较长，45ns,我希望能到10ns以内
2 延迟时间比较长140ns多
3 负电压不是很大，才-190V，之前的仿真出来都是-268V左右
造成这样的原因是不是二极管不对呀，还有共射级电路我接的是不是不对

下图是共射级输出和输入的对比，看的模电书计算了半天感觉不是很对，就直接看仿真了，放大了4倍左右

我手头上只有FR157 快速恢复整流二极管，这个二极管能用在这里么，看见耐压和电流都比较大，这里选择二极管是考虑这几个参数么？

还请赐教

登录 · 发表于 2012-12-19 10:58

天下第一发表于 2012-12-18 19:30
MOS管的驱动电流的计算.可以用I=C·du/dt来计算,但是必须要考虑到mos管dg间的米勒电容Cdg,较小的Cdg所需要 ...

按照这的说是不是电容和指的是输入电容，1300pf

那么驱动电流=3.5*1300*10^（-12）=4500*10^（-12）A=4.5nA 意思是这么小的电流就能驱动MOS管
是不是我计算有问题呢？？？

发表于 2012-12-19 12:27

本帖最后由天下第一于 2012-12-19 12:45 编辑

不是那么算。
对于Ciss，i1=Ciss·du1/dt，这里的du1是Ciss两端的电压变化，假设你的驱动电压为10V，dt为你的驱动上升沿时间，假设为39ns左右。那么i1=1300*10*-12 · 10/39*10^-9 =0.33A.
对于Crss，i2=Crss·du2/dt,du2是Crss，即gd之间的电压变化，为300+10V=310V，那么i2=18...*310/39...=0.15A。
那么总的驱动电流为i=i1+i2=0.48A
可见较小的Crss却也要很大的电流...。这就是米勒效应，表现在驱动电压在mos的导通阀值电压Vth处的有一个平台，或者驱动能力不足的话，就是一个掉沟

发表于 2012-12-19 14:10

Q3的基极加个电阻，你这样直接利用反相器的输出电阻当三极管基极电阻，就会进入深度饱和，刚刚说了深度饱和由于要退出，所以会有很大延时。你加个适当的电阻，在临界饱和左右试下时间会不会减小。

发表于 2012-12-19 17:38

nqyijian 发表于 2012-12-19 14:10
Q3的基极加个电阻，你这样直接利用反相器的输出电阻当三极管基极电阻，就会进入深度饱和，刚刚说了深度饱和 ...

深度饱和的问题好像解决了，现在下降时间能够到20ns了，在网上找了找为啥深度饱和的原因，好像懂些了，我想这里是不是图腾的那个电路也需要工作在线性放大区，应该在基极加个电阻，先找一个合适的Q点，然后根据Ib算Ic，最后算出来基极的电阻？还是说图腾上面就按照23楼的原理图就可以，还有就是需不需要在IRF840上面gs之间并联一个约10k的电阻？

发表于 2012-12-19 17:47

楼主用的都是射极输出，那么输出电压幅度（驱动级）能大于输入幅度吗？

登录 · 发表于 2012-12-19 18:21

发表于 2012-12-19 18:30

yangzhaofei1 发表于 2012-12-19 17:38
深度饱和的问题好像解决了，现在下降时间能够到20ns了，在网上找了找为啥深度饱和的原因，好像懂些了，我 ...

1，mos的gs之间可以不并一个10k的电阻，之前我这么说是因为我看到你的d极到高压之间没有接220k的电阻，有这个电阻限流，不会炸管。
2，不能得到很高的负压，是否是因为1n4007的反向恢复时间太大了，查了下，达到30us，比你要的负脉冲的时间1us大得多，换个超快恢复二极管看看？
3，图腾驱动的输出到mos的gate之间最好串联一个10-100R的电阻，以抑制寄生震荡，净化驱动，但是驱动的上升沿就会没那么陡了。可以给图腾之前的两个100R的电阻改小到10R看看、

发表于 2012-12-19 20:48

这个帖子好经典学习啦一般IGBT或者MOS管栅源之间并二极管以及电阻式为了泄放米勒效应产生的电量吗？请教栅源之间并电阻的大小取值，先用50K效果不好

发表于 2012-12-19 21:27

本帖最后由天下第一于 2012-12-19 21:28 编辑

xfx1989 发表于 2012-12-19 20:48
这个帖子好经典学习啦一般IGBT或者MOS管栅源之间并二极管以及电阻式为了泄放米勒效应产生的电量吗？请教 ...

防止门极虚地而使mos在开通状态，假如有高压在d，那么d直接导通到地。这在开关电源中的开关管中，不接这个gs电阻，上电时极易炸管。
几k到几十k无所谓吧，一般都10k

登录 · 发表于 2012-12-28 18:49

maychang 发表于 2012-12-18 16:20
固态继电器在这里并不适用。

大侠，我按照你说的输入的信号接共射级放大电路，然后接图腾，直接去驱动MOS管，图
一开始效果还挺好的，不过就是输入的信号为0，输出的信号是3v左右，输入3.3V，输出的信号是12V左右，不过可以导通MOS管，出来的效果也很好，可是隔天放了后再用的时候就有很大的漂移，输入信号0，输出信号是5V左右。而且在用反相器的时候有个这样的现象，如果给反相器74HC04提供3.3V的电压，输入的信号必须大于3.3V，否则没有信号或者信号有很大的抖动。最后从图腾输出的信号一开始还挺好的挺稳定的，可是现在就变成了下面的样子
左边的信号有的当输入信号0时输出有3V左右，到了后面就成5V了
这些信号都是时好时坏的，不稳定，如果低电压5V，就已经导通了，就没有意义了，想最低的电压是0V，不知道原理图中是不是图腾的电路有问题呢，是不是应该加入些什么，是不是饱和或者~~~
还有就是把信号放大后方波的一开始有很大的抖动，这个应该怎么消除呢

发表于 2013-5-14 11:02

跟着学习！

发表于 2013-9-6 15:01

maychang 发表于 2012-12-16 18:23
5楼的图与首帖图相比较，多了个电阻R9，多了这么个电阻，当然就不会使电源短路了。
从5楼图上看，功率MOS管 ...

Q3导通，mos管导通，Q3不会烧掉？

发表于 2013-9-14 14:28

doob 发表于 2013-9-6 15:01
Q3导通，mos管导通，Q3不会烧掉？

实际做的时候没有被烧掉，最后可以用

发表于 2014-7-12 22:56

这个学习受教了。

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