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[STM32F2] 请教Flash模拟EEPROM时往Flash里写入几十k数据的操作？

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 楼主| zxm19820916 发表于 2014-1-21 14:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
EEPROM, flash, 模拟, 芯片, ck
以前用的F103ZE芯片，速度不太够，所以选择了F205ZE芯片。
我们写入数据的操作：
Flash_Unlock()；
清除标记；
保存要擦除的扇区的数据到缓存；
擦除扇区；
for循环： 写入数据（4个字节一次）；

Flash_Lock()；

请问：flash解锁和锁上这段时间内，能否响应中断？为什么数据都已经写入成功了，最后通信却中断了？
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airwill 发表于 2014-1-21 16:40 | 显示全部楼层
flash解锁和锁上这段时间内，能否响应中断？ 当然是可以响应的.
但是在 FLASH 写和擦除的操作过程中, 中断不能响应. 因为这段时间 FLASH 不允许访问.
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 楼主| zxm19820916 发表于 2014-1-21 16:54 | 显示全部楼层
但是在 FLASH 写和擦除的操作过程中, 中断不能响应. 因为这段时间 FLASH 不允许访问.

那这个怎么办？F205ZE芯片分4个16k和1个64k扇区，再有就是3个128k扇区。我用了一个16k和一个64k扇区作为EEPROM使用。16k里面存放了13k数据。64k里面需要存放20多k数据。写入到16k的那个正常。但是写入到64k的这个有问题，数据已经能够写完，但是最后100%完成后，通信中断了。
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 楼主| zxm19820916 发表于 2014-1-21 16:57 | 显示全部楼层
我作了这样的处理。写入4k，就lock一下，延时几十个数或者几百个数，然后unlock，接着写。但是也不行。
不作任何其他处理，直接擦除扇区，然后for循环写入数据。把数据量减少到12k左右，正常。
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 楼主| zxm19820916 发表于 2014-1-21 17:02 | 显示全部楼层
16k那个不会有问题，我有个16k的全局数组做缓存。擦除16k扇区时，先全部拷贝出来，然后更新要写入的数据，再擦除16K扇区，然后将16K缓存写入到16k扇区里。正常。
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dirtwillfly 发表于 2014-1-21 20:58 | 显示全部楼层
楼主的通讯多长时间一次？
根据通讯时间合理安排好flash的擦写就可以啊
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 楼主| zxm19820916 发表于 2014-1-22 10:23 | 显示全部楼层
我们是做PLC的，在下载用户程序时一直都在通讯。
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mmuuss586 发表于 2014-1-22 14:11 | 显示全部楼层
不要把程序搞丢了
丢程序就麻烦了。
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明月小厨 发表于 2014-2-9 12:39 | 显示全部楼层
FLASH只有一个总线，写FLASH时，总线被独占，FLASH内的所有程序自动暂停执行。但在RAM内的程序可以执行。
解决办法：
FLASH分成二个部分，独立总线；程序全放在A块；数据全放在B块；这样，对B块可以随便操作而不影响A块的程序运行。
具体可以参考STM32F42X；也许是F43X或F44X；
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