关于高精度、低失调运放设计

发表于 2014-1-23 10:38

在网上看到的很多高精度、低失调运放都是用的双极型，为什么不用mos管，他们之间的根本区别在哪里？

发表于 2014-1-23 10:53

运放是MOS管或者三极管复合电路构成的，可以方便的用于传递函数的实现。

发表于 2014-1-23 11:52

发表于 2014-1-23 11:53

很多JFET输入
输入阻抗，偏置电流，输入电容等可以做的很低

发表于 2014-1-23 14:47

这个要看相应的指标吧。一般JFET，电源电压和输入电压可以很高，例如 15V，而CMOS的一般为5.5最大。

发表于 2014-1-24 10:12

mmuuss586 发表于 2014-1-23 11:53
很多JFET输入
输入阻抗，偏置电流，输入电容等可以做的很低

场效应管做输入确实偏置电流低，失调的电流小。。。可是，书上写到过在相同几何尺寸下，mos管所固有的随机失配电压高（JFET和MOS效果一样？）。。。于是，折衷考虑一下，提出用MOS管源跟随器来驱动双极型晶体管差分对的方案，关于这种想法有什么理解？

发表于 2014-1-25 13:29

这些就的具体的看选型的啦

发表于 2014-1-25 22:52

gaoyang9992006 发表于 2014-1-23 10:53
运放是MOS管或者三极管复合电路构成的，可以方便的用于传递函数的实现。

说的非常不错的啦，，复合应用时很红要的功能

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