计论：可控硅与交流电机

发表于 2007-7-3 10:48

小弟在用单片机控制一交流电机旋转项目，用1M电阻和两个IN4148来判断过零点，考虑到IO判断由1到0可能不是电网的真正0点，所以电网的下降沿加了一段1MS到4MS的（试了好几个值）延时，再根据实际值延时切正弦波，实现电机的不同转速。<br /><br />但在这个过程中发现，电机的最高转速好像并不是在过零点处切正弦波，在每个过零点（包括上升下降沿）后再延时一段时间使可控硅导通才能达到电机的最高转速，这是不是因为电机是感性负载，它电压的过零点和电流的过零点不同步而引起的呢？？？？

发表于 2007-7-4 07:47

在过零点触发可控硅,因电机是感性负载,过零点电压又低,所以此时电流不能立即上升到可控硅维持电流,应当加大触发电流和触发时间使可控硅可靠导通.

发表于 2007-7-4 14:42

现在可控硅的门级与单片机IO（4个IO并在一起的）之间加的是160欧1/2W的电阻，触发时间为50US左右，这样可以么，还是要减小门级电阻？？？

发表于 2007-7-4 16:16

电阻改为51Ω,1/4W,触发时间100μS-300μS

发表于 2007-7-4 17:35

3Q,我试试

发表于 2013-5-5 11:57

楼主还在不？请教下设计资料

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