标签: | AMEYA360:罗姆加强GaN功率器件供应能力 | 创业|外包|承接 | Ameya360皇华 2026-3-4 | 0 0 | Ameya360皇华 2026-3-4 14:15 |
|---|---|---|---|---|
| 氮化镓(GaN)功率半导体 | 英飞凌MCU论坛 | AdaMaYun 2026-3-29 | 0 0 | AdaMaYun 2026-3-29 09:51 |
| CoolGaN™氮化镓技术在高密度快充设计中具有哪些突出优势? | 英飞凌MCU论坛 | cr315 2026-4-22 | 0 0 | cr315 2026-4-20 13:57 |
| 英飞凌抗辐射 GaN 晶体管获 MAE 铂金奖的核心创新点 | 英飞凌MCU论坛 | tiakon 2026-4-24 | 0 0 | tiakon 2026-4-21 11:25 |
| 英飞凌宽禁带器件赋能热泵的能效提升机制 | 英飞凌MCU论坛 | yuliangren 2026-4-25 | 0 0 | yuliangren 2026-4-21 11:28 |
| 英飞凌 HiRel GaN 的辐射加固技术实现路径 | 英飞凌MCU论坛 | q1d0mnx 2026-4-26 | 0 0 | q1d0mnx 2026-4-21 11:47 |
| 英飞凌自研 GaN 晶体管实现 JANS 认证的技术路径 | 英飞凌MCU论坛 | b5z1giu 2026-4-27 | 0 0 | b5z1giu 2026-4-21 11:51 |
大咖谈技术丨为AI数据中心供电:氮化镓(GaN)正成为焦点
|
瑞萨MCU/MPU | 瑞萨新闻官 2026-4-27 | 0 0 | 瑞萨新闻官 2026-4-27 00:01 |
| 英飞凌MOSFET新方案 | 英飞凌MCU论坛 | OKAKAKO 2026-3-27 | 0 0 | OKAKAKO 2026-3-26 20:47 |
新品发布丨瑞萨电子推出全新GaN充电方案,为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲
|
瑞萨MCU/MPU | 瑞萨新闻官 2026-3-29 | 0 9898 | 瑞萨新闻官 2026-3-29 23:43 |
| 英飞凌 HiRel GaN 赋能星载数字有效载荷的核心优势 | 英飞凌MCU论坛 | miltk 2026-4-23 | 0 0 | miltk 2026-4-21 11:20 |