本帖最后由 山东电子小菜鸟 于 2017-12-14 17:23 编辑
上电瞬间 对MOS管结电容充电 ，你用10K时 相对于100K而言 充电时间很短 迅速达到VCC电压 因此MOS导通 当你用100K 时 充电时间相对于10K而已延迟大约10倍 在这个时间段内，CPU已经完全启动完成 使电路脱离了虚电平状态 从而正常工作 r1不变，增加R2 时，从交流回路中可以看出，由于上电瞬间 三极管有漏电流存在 R2本身充当了泄放电压 与延迟充电时间双重功能 不足以达到MOS开启电压 因此不会开启 虽然两种方法表面上看起来 上电时不会开启 但都不是稳定的 在存在干扰情况下 无法保证不出问题 |
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