一种pmos续流的试验

登录 · 发表于 2019-7-11 15:45

测试原理图如下
mos管选用si2309驱动一个继电器，继电器低端驱动一个10A有刷直流电动机。

登录 · 发表于 2019-7-11 15:52

这是继电器线圈，电压

登录 · 发表于 2019-7-11 16:00

本帖最后由叶春勇于 2019-7-11 16:03 编辑

电源电压为12V。继电器电感107mH
计算如下：
当input为由0转12V，pmos截至。
此时继电器线圈产生负电势，当达到10V，12V-(-10)=22V,击穿TVS（smc22ca），pmos重新打开，使继电器电势维持在-10V左右.这是一个负反馈过程。
波形细节

发表于 2019-7-11 16:43

跟在继电器线圈两端并二极管相比，有什么优缺点？

发表于 2019-7-11 17:10

lfc315 发表于 2019-7-11 16:43
跟在继电器线圈两端并二极管相比，有什么优缺点？

缺点：TVS管更贵一些。。。。。
优点：继电器线圈电流衰减快一些，触点断开快一些

发表于 2019-7-11 17:12

其实直接在漏源极并联一个稳压管也可以达到同样效果，成本应该好一点。

发表于 2019-7-11 17:14

甚至不要并联稳压管，让MOS管击穿吸收电流，也不是不行。

@tianxj01 · 发表于 2019-7-11 17:20

这种续流方式，可以用稳压管，是成本最低的。
这里稳压管是控制，MOS管自己续流

发表于 2019-7-11 17:22

戈卫东发表于 2019-7-11 17:12
其实直接在漏源极并联一个稳压管也可以达到同样效果，成本应该好一点。

漏源并稳压管，这种方式稳压管功率高些，全部要吸收

发表于 2019-7-11 17:27

lfc315 发表于 2019-7-11 16:43
跟在继电器线圈两端并二极管相比，有什么优缺点？

线圈两端并二极管，和MOS管的寄生二极管，形成通路，一反接就完蛋，或高能负脉冲也完蛋

发表于 2019-7-11 17:32

戈卫东发表于 2019-7-11 17:10
缺点：TVS管更贵一些。。。。。
优点：继电器线圈电流衰减快一些，触点断开快一些
...

结论怎么来的？就算忽略极间电容，快恢复也比TVS快的多吧

发表于 2019-7-11 17:35

512870372 发表于 2019-7-11 17:32
结论怎么来的？就算忽略极间电容，快恢复也比TVS快的多吧

并联二极管，断开时线圈两端电压低，电流衰减慢。

发表于 2019-7-11 17:44

戈卫东发表于 2019-7-11 17:35
并联二极管，断开时线圈两端电压低，电流衰减慢。

没明白，反向电动势不就是在线圈两端产生的瞬间电压吗。

发表于 2019-7-11 17:51

叶春勇发表于 2019-7-11 16:00
电源电压为12V。继电器电感107mH
计算如下：
当input为由0转12V，pmos截至。

PMOS重新打开这后面是不是表述有问题啊，负反馈没太明白

发表于 2019-7-11 18:28

512870372 发表于 2019-7-11 17:44
没明白，反向电动势不就是在线圈两端产生的瞬间电压吗。

一个反向的二极管，续流时候，电压是多少？
而电感电流衰减率和电压直接相关，我们假定二极管是一个理想器件，没有任何导通损耗，而且继电器线圈是一个理想电感，（你可以想象超导），则MOS管关闭后，继电器永远不会跳开，为什么？因为吸合电流永远在哪里流动。

发表于 2019-7-11 18:43

tianxj01 发表于 2019-7-11 18:28
一个反向的二极管，续流时候，电压是多少？
而电感电流衰减率和电压直接相关，我们假定二极管是一个理想 ...

不能这么算，大部分继电器都会有个几欧到上百欧的直流电阻，这个就是为什么只用一个二极管就能很快的释放电流了吧

发表于 2019-7-11 18:51

512870372 发表于 2019-7-11 18:43
不能这么算，大部分继电器都会有个几欧到上百欧的直流电阻，这个就是为什么只用一个二极管就能很快的释放 ...

当然实际上不能这么算，上面本身只是一个理想化假定而已，而且确实一旦电感端电压很低，则电流衰减确实很慢。
其实，正因为线圈电阻的存在，所以，继电器在普通一个整流管续流情况下，其实衰减并不慢，续流条件，看起来二极管端电压很低，但是续流过程继电器线包电阻在断开瞬间的的电流续流下来，线包电感实际电压还是等于驱动电压，只是反向相反，所以，一般来说，用个普通二极管做继电器续流，也可以在短有效的完成续流到电流为零，只是，采用MOS管进行续流，则电感有效端电压会叠加MOS管+稳压管电压，也就是续流过程方向电压更高，当然相比一个简单的二极管，实际上能快，事实上，采用多高的稳压管和Vcc的比值，则电流衰减过程也按比例加快。。。。。。

发表于 2019-7-11 19:07

tianxj01 发表于 2019-7-11 18:51
当然实际上不能这么算，上面本身只是一个理想化假定而已，而且确实一旦电感端电压很低，则电流衰减确实很 ...

线圈并联二极管对于8050，9013之类的低耐压三极管还不是很完美，不良率偏高，不如ce并稳压管，ce并稳压管可靠性要高些，这是我的量产经验

发表于 2019-7-11 19:17

在线圈并联一个高压的TVS最佳结果，电压越高，电感能量耗得越快，并且回路越小，EMI越影响越小，此电路还要通过电源来消耗，有违EMI原理。并一个1N4**的效果不良，用肖特基好过他。因为反应快，二极管进入导通有个延时，长短决定了电感即时产生的电压大小。也就是EMI的强弱。

发表于 2019-7-11 19:20

tianxj01 发表于 2019-7-11 18:51
当然实际上不能这么算，上面本身只是一个理想化假定而已，而且确实一旦电感端电压很低，则电流衰减确实很 ...

电感的能量是一定的，续流时外端的电压越高，电流降得越快，最终能量是落在耗能器件上的。

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