日前，韩国半导体制造巨头SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“2023闪存峰会”上公开了最新的闪存技术。
据悉，在大会上，SK海力士公布了其最新研发的321层1TB TLC 4D NAND闪存的进展情况，kbfrqbdlsuw并展示了目前开发阶段的样品。
SK海力士也成为首家披露300层以上NAND技术进展的公司。该公司表示，他们将在238层NAND的基础上进一步推进321层NAND的研发，旨在在2025年上半年开始量产。
根据该公司的说法：“我们在已经量产的238层NAND的技术积累上，有序地推进着321层NAND的研发工作，为即将到来的300层NAND时代做好充分准备。”
而这项新技术的优势在于，相比上一代的238层512Gb NAND，321层1TB TLC NAND的效率提升了59%。而这个成果得益于数据存储单元的更多堆叠，使得在同一芯片上实现了更大的存储容量，同时也提高了每个晶圆上芯片的产出数量。
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