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关于DSP外扩存储器的几个问题

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 楼主| cruby 发表于 2007-7-8 22:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
DSP, 存储器, unsigned, Value, ge
我用的芯片是2407，在外扩存储器时有几个问题搞不清楚，请各位帮我看看：<br /><br />1.&nbsp;假设我要外扩程序存储器，现在我将PS#跟存储器Flash的CE#连接（这里用#表示“反/非”的意思），要使Flash使能就必须使CE#为0，也就是要使PS#为0，那么怎么才能使PS#为0呢？<br /><br />2.&nbsp;如果我令MP/MC#&nbsp;=&nbsp;0（从内部读取复位向量），那么能访问外部的存储器吗？如果能，那么假设我要读外部存储器0x0010地址处的值时，我应该用什么指令呢？<br />是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;&nbsp;//定义一个内部变量<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)0x0010;<br />还是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000);呢？<br /><br />3.&nbsp;如果我令MP/MC#&nbsp;=&nbsp;1（从外部读取复位向量），那么怎么才能访问外部的存储器呢？<br />是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)0x0010;<br />还是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000);呢？<br /><br />4.&nbsp;接着第3个问题，此时还能访问内部的存储器吗？如果能的话怎么访问内部的存储器呢？如果不能的话，那么内部32K的Flash不是没用了吗；外扩的时候内部32K的Flash是不是始终都有用还是说外扩后就没用了？<br />
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wowow 发表于 2007-7-9 13:03 | 显示全部楼层

提一下思路

C2000的我不熟，提一下在其它5000系列中的思路供参考：<br />接到PS#说明是程序空间，如果是汇编就用相关的指令，如果是C，*(unsigned&nbsp;int*)0x0010这种方法肯定不行，这是数据指针，是访问数据空间用的。函数指针才会指向程序空间，但用函数指针来访问数据肯定也不恰当.<br /><br />能想到的办法中有通过变量，确保它分配到程序空间<br />1.对于const变量，定义：<br />const&nbsp;int&nbsp;x;<br />然后将.const段(前面的.不要漏了)分配到程序空间的Section里面。（C2000里也应该有Page0/Page1吧？前面争了半天的，呵呵）<br />这个方法只能用于全局变量，因为局部变量是在stack里，不会分配到.const段。还有前面不能加volatile，因为volatile变量处理方法不一样。<br /><br /><br />2.自定义一个section，比如取名叫mysect,将其也分配到程序空间的Section里。然后在定义变量的前面加上#pragma&nbsp;DATA_SECTION编译指示：<br />#pragma&nbsp;DATA_SECTION&nbsp;(y,&nbsp;&quot;mysect&quot;)<br />int&nbsp;y;<br /><br />但这种方法访问数据估计会比较慢，因为程序空间的寻址方式很少，你可以看一一反汇编的代友，一般要先把数据先复制到寄存器或数据空间里再参与运算。不划算吧？所以除常量以外的数据最好都放在数据空间。
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Cruby 发表于 2007-7-9 14:19 | 显示全部楼层

如果外接的数据存储器呢？

谢谢楼上提醒，但是如果我接的是数据存储器呢？比如DS#接外部数据存储器的片选信号CE#，那么怎么才能使DS#变为0呢？<br /><br />另外，我访问外部数据存储器地址的0x0010时，我用<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;&nbsp;//定义一个内部变量<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)0x0010;<br />还是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000);呢？
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wowow 发表于 2007-7-9 16:25 | 显示全部楼层

看样子你是想把外部flash的0地址对应DSP的0x8000吧？

1.要想DS#变低，就要访问外部地址空间，<br />比如将0x8000地址以上映射到extern&nbsp;memory,<br />访问*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000)就可以使DS#变低<br /><br />如果你想外部flash的0地址对应DSP的0x8000，就要将高位地址线A15取反，再跟DS#脚相或，再接到Flash的CE#，低地址A14-A0线一一对应接。这样你访问0x8010时，A15为低，跟DS#相或后仍然是低，选中Flash。但实际操作的是Flash的0x0010地址。<br /><br />其实也不复杂，只要想好:DSP的引脚输出什么电平，外部芯片需要输入什么电平才能选中，中间加个组合逻辑匹配一下就行了。<br /><br />如果你用的是32k*16的Flash,只能这样接了。如果是64k或更大的，反正只能用到32k，总是有浪费的。可以直接DS#接Flash的CE#，并将低32k的数据空间由于是映射到内部空间，高32k数据空间映射到外部空间，那么flash的低32k是访问不到的了，高32k与程序中的地址是一一对应的。这样以浪费flash的代价节省接口逻辑。
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-9 19:14 | 显示全部楼层

啊，这可怎么办？

如果不用A15取反的话，就永远不能访问前32k了是吗？<br /><br />因为如果我直接将DS#与Flash的CE#连起来的话，用*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000)访问的就是存储器的0x8010的地址；而用*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010)的话就是访问数据存储器内部的0x0100地址而不是Flash的0x0010地址，是这样吗？<br /><br />我现在碰到的情况是用DS#接外部一个4M的Flash（共22根地址线）的CE#，地址线A0-A15连Flash的A0-A15，剩下的地址线不够用就用IO口PE0-PE5代替；另外，DSP的RD#接Flash的OE#，WE#接WE#；如果这样的话，是不是说这4M的Flash的前32K也是不能用了？另外，这IO口能代替数据线访问Flash的空间吗？
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wowow 发表于 2007-7-9 19:35 | 显示全部楼层

可以把Flash的A15也用IO来控制

只把A0-A14跟DSP总线相联，这样一次可中32k
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-9 22:09 | 显示全部楼层

我的硬件已经成型了，怎么办呢

非常感谢wowow指点，现在我的硬件已经成型了，地址线A0-A15已经跟Flash的A0-A15连接了，应该怎么办呢？<br /><br />我往Flash上写东西时，要先往0x555、0x2aa等地址上写一些数据，按照现有的硬件条件怎么才能访问到这些地址呢？
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wowow 发表于 2007-7-10 01:59 | 显示全部楼层

要么浪费，要么飞线

有的flash的0x555、0x2aa写命令不在意A15是高还是低，这个要看datasheet。<br /><br />Address&nbsp;format&nbsp;A14-A0&nbsp;(Hex):<br />Address&nbsp;A15&nbsp;is&nbsp;“Don’t&nbsp;Care”&nbsp;for&nbsp;the&nbsp;Command&nbsp;sequence&nbsp;for&nbsp;SST39LF/VF512.<br />Address&nbsp;A15&nbsp;and&nbsp;A16&nbsp;are&nbsp;“Don’t&nbsp;Care”&nbsp;for&nbsp;the&nbsp;Command&nbsp;sequence&nbsp;for&nbsp;SST39LF/VF010.<br />Address&nbsp;A15,&nbsp;A16&nbsp;and&nbsp;A17&nbsp;are&nbsp;“Don’t&nbsp;Care”&nbsp;for&nbsp;the&nbsp;Command&nbsp;sequence&nbsp;for&nbsp;SST39LF/VF020.<br />Address&nbsp;A15,&nbsp;A16,&nbsp;A17&nbsp;and&nbsp;A18&nbsp;are&nbsp;“Don’t&nbsp;Care”&nbsp;for&nbsp;the&nbsp;Command&nbsp;sequence&nbsp;for&nbsp;SST39LF/VF040.<br /><br /><br />SST39LF/VF200A　SST39LF/VF400A&nbsp;SST39LF/VF800A:<br />Address&nbsp;format&nbsp;A14-A0&nbsp;(Hex),&nbsp;Addresses&nbsp;AMS-A15&nbsp;can&nbsp;be&nbsp;VIL&nbsp;or&nbsp;VIH,&nbsp;but&nbsp;no&nbsp;other&nbsp;value,&nbsp;for&nbsp;the&nbsp;Command&nbsp;sequence.<br />
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tjsheep 发表于 2007-7-10 11:14 | 显示全部楼层

简单解答，呵呵

1.&nbsp;假设我要外扩程序存储器，现在我将PS#跟存储器Flash的CE#连接（这里用#表示“反/非”的意思），要使Flash使能就必须使CE#为0，也就是要使PS#为0，那么怎么才能使PS#为0呢？<br /><br />－－－－mp/mc设为mp模式，访问程序时候ps有效，就是外部空间<br /><br />2.&nbsp;如果我令MP/MC#&nbsp;=&nbsp;0（从内部读取复位向量），那么能访问外部的存储器吗？如果能，那么假设我要读外部存储器0x0010地址处的值时，我应该用什么指令呢？<br />是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;&nbsp;//定义一个内部变量<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)0x0010;<br />还是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000);呢？<br /><br />－－－－－－－－访问外部什么空间？数据还是程序？<br /><br />3.&nbsp;如果我令MP/MC#&nbsp;=&nbsp;1（从外部读取复位向量），那么怎么才能访问外部的存储器呢？<br />是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)0x0010;<br />还是<br />unsigned&nbsp;int&nbsp;getValue&nbsp;=&nbsp;0;<br />getValue&nbsp;=&nbsp;*(unsigned&nbsp;int*)(0x0010&nbsp;+&nbsp;0x8000);呢？<br /><br />－－－－－－8000以后的数据空间自动访问外部的，c语言里的变量分配用cmd文件指定，一般不用绝对地址<br /><br />4.&nbsp;接着第3个问题，此时还能访问内部的存储器吗？如果能的话怎么访问内部的存储器呢？如果不能的话，那么内部32K的Flash不是没用了吗；外扩的时候内部32K的Flash是不是始终都有用还是说外扩后就没用了？<br /><br />－－－－－－内部外部程序空间是重叠的，一般来说是不能同时用的，但是用手动的办法来访问也是可以的，但是不符合c的编译器，不能自动编译出这样的代码
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-10 11:27 | 显示全部楼层

看来是大大地浪费了

今天早上考虑了一下，把DS#接个反相器直接与存储器连了，这样我就只用了4M闪存的32k（心痛啊，好浪费！），暂时不管别的了，先把芯片调通了再说；<br /><br />另外，我用的Flash是AMD（Spansion?）的Am29DL640D，数据手册好大，有六十多页，回去找找看看高位引脚跟命令字节有没有关系？<br /><br />PS:wowow人品很不错~
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iversonma 发表于 2007-7-10 15:28 | 显示全部楼层

理论上应该可以

command命令寄存器是不会占用存储空间的，你给具体的地址写数据系统不会识别是写命令或者写数据。不过提供了两个方法防止这种错误<br />首先一般写数据都要求先写一个命令字，下一个周期写入的数据才能写入，注意memory的集中mode<br />normal&nbsp;mode似乎写数据之前是需要命令字的，还有一种autoselect&nbsp;mode似乎不用，具体可以详细看看memory的datasheet。<br />再者一般的命令字都是连续好几个的，闲着没事估计没有人写地址数据刚好和命令字相同。<br /><br />这个问题倒是问得不错，支持你按你的想法试一下，别忘了在这里说一下结果<br />
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-12 22:08 | 显示全部楼层

To iversonma:

今天试了一下，向Flash编程时可以用0x8555代替0x555，我可以往Flash上写一个字，不过也就一个字；紧接着往第二个字写的时候发现没有用，可能是我的写时序有点问题，明天再看看~<br /><br />不知道有谁写过读写Flash存储器Am29DL640D类似的程序，如果有的话我想参考一下。我的邮箱为：veshid@gmail.com
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iversonma 发表于 2007-7-12 22:23 | 显示全部楼层

re

没有看明白什么意思？<br />命令可以替代，写数据什么意思？<br />am29dl是异步的吧，如果是的话找别的异步器件参考就行<br />别人的程序不会那么轻易就送出去的
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随风飘2008 发表于 2007-7-12 23:07 | 显示全部楼层

re

我也没看明白
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-12 23:43 | 显示全部楼层

不明白吗

说得不够明白是吧<br />简单地说就是写命令字节进A22-A11的状态是无所谓的，这样<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x0A555)&nbsp;＝&nbsp;0xAA;<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x0B2AA)&nbsp;＝&nbsp;0x55;<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x0C555)&nbsp;＝&nbsp;0xA0;<br />就等价与<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x0555)&nbsp;＝&nbsp;0xAA;<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x02AA)&nbsp;＝&nbsp;0x55;<br />*(unsigned&nbsp;int*)(0x0555)&nbsp;＝&nbsp;0xA0;了，<br /><br />因为我现在板子的硬件设置访问不了外部Flash&nbsp;0x8000前的空间，而要往Flash里写数据的话必须写几个命令字节（在555，2aa，555等地址，注意：这些地址都在0x8000前）；所以一开始我以为访问不了Flash的8000前地址，也就不能往这些地址写上东西，但是后来看到A22－A21无关后，就试了一下，发现在555，2aa之类的地址加上8000也无所谓（为什么我要加8000呢?&nbsp;因为访问8000以上地址，WE#才能变低，所以......）<br />
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iversonma 发表于 2007-7-13 09:24 | 显示全部楼层

这不就是datasheet上面的原话吗

看来是你自己没有说清楚<br />另外你说的那个第二次写不进去的问题，应该是flash不支持页模式，或者你只设置为async模式，这样情况下写一次命令字只允许写一个数据位（如果falsh为16位就是16位）。和时序没有关系<br />
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-13 11:27 | 显示全部楼层

继续

估计我不止没说清楚，也没有弄清楚，所以稀里糊涂的~<br />继续说几句吧，看看有没有人搞过类似的芯片，想交流一下：<br /><br />1.&nbsp;芯片名字叫Am29DL640D，现在好像已经停产了，官方推荐用S29JL064H代替~<br />2.&nbsp;读芯片没什么特殊的，直接读地址就可以了<br />3.&nbsp;“写”芯片（program&nbsp;flash）就麻烦了：首先要先命令字节，另外还有两种写的模式，一个是常规的，需四个周期，还有一种叫bypass模式，只需2个周期；<br />4.&nbsp;有两种擦除模式，一个是Chip&nbsp;Erase，另一个是Sector&nbsp;Erase，是不是在写之前都要擦除一下呢？<br />5.&nbsp;另外还有个引脚叫WP#/ACC，好像可以加速读写速度的，具体不清楚，都是英文，看得头都大了，相关中文资料找了好久也没找到什么有价值的，痛苦啊~<br /><br />我只是奇怪，为什么我用<br />ProgramFlash(0x8888,&nbsp;0x1111);&nbsp;//往8888地址写1111<br />ProgramFlash(0x9999,&nbsp;0x2222);<br />getValue1&nbsp;=&nbsp;ReadFlash(0x8888);//读取8888地址的值<br />getValue2&nbsp;=&nbsp;ReadFlash(0x9999);<br />后，getValue1的值正确，而getValue2的值就不正确呢？<br />是不是每次读或者写后都必须得验证一下呢？<br />回去还得好好看看手册~
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iversonma 发表于 2007-7-13 20:32 | 显示全部楼层

胡乱解释一下

<br /><br /><br />1.&nbsp;芯片名字叫Am29DL640D，现在好像已经停产了，官方推荐用S29JL064H代替~<br />这个没有问题，基本软件是全部兼容的，而且速度肯定要上去一些，因为采用了更高级的制造工艺，这样spansion的成本也降下来了。<br />2.&nbsp;读芯片没什么特殊的，直接读地址就可以了<br />因为不会破坏内部数据，所以不用写命令。<br />3.&nbsp;“写”芯片（program&nbsp;flash）就麻烦了：首先要先命令字节，另外还有两种写的模式，一个是常规的，需四个周期，还有一种叫bypass模式，只需2个周期；<br />模式不止这两种，<br />4.&nbsp;有两种擦除模式，一个是Chip&nbsp;Erase，另一个是Sector&nbsp;Erase，是不是在写之前都要擦除一下呢？<br />在nor&nbsp;flash里面，是由好多sector（块）组成的，擦除的时候可以选择Chip&nbsp;Erase（整片擦除）和sector&nbsp;erase（块擦除）写之前不一定必须擦除，如果你不确定memory里面是否有数据，写之前擦除一下也是很必要的。取决于你自己<br /><br />5.&nbsp;另外还有个引脚叫WP#/ACC，好像可以加速读写速度的，具体不清楚，都是英文，看得头都大了，相关中文资料找了好久也没找到什么有价值的，痛苦啊~<br /><br />wp#/acc管脚也有可能是两个分开，wp#是硬件写保护信号（write&nbsp;protect）有效时软件写操作被屏蔽，可以起到保护的作用。acc是加速的意思，一般烧写器或者工厂大批量烧写的时候用到，比普通的软件在线编程速度快一倍多（不同的器件可能有差异，大致是这个意思）。<br /><br />其实对于做软件驱动而言，只要关心操作数和时序就可以了，好多种的保护模式实际很少用刀，除非作烧写器或者要大批量生产。<br /><br /><br />关于资料，memory的资料一般都是英文的，没有办法，技术更新的太快，目前中文有一本译文的，名字好像是《半导体存储器-结构&nbsp;&nbsp;&nbsp;》不确定，不过你网上搜，也只有一本，讲的比较基础，目前市面上常用的memory都有详细介绍。
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 楼主| cruby 发表于 2007-7-13 22:35 | 显示全部楼层

看了一下午手册

看了一下午手册，有点弄明白了，不过晚上上机一试发现还是调不出来，郁闷，明天得加班继续了~
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zhangmangui 发表于 2013-12-9 12:20 | 显示全部楼层
好贴  帮忙顶
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