关于DSP外扩存储器的几个问题

只看该作者 · 2007-7-8 22:07

我用的芯片是2407，在外扩存储器时有几个问题搞不清楚，请各位帮我看看：

1. 假设我要外扩程序存储器，现在我将PS#跟存储器Flash的CE#连接（这里用#表示“反/非”的意思），要使Flash使能就必须使CE#为0，也就是要使PS#为0，那么怎么才能使PS#为0呢？

2. 如果我令MP/MC# = 0（从内部读取复位向量），那么能访问外部的存储器吗？如果能，那么假设我要读外部存储器0x0010地址处的值时，我应该用什么指令呢？
是
unsigned int getValue = 0; //定义一个内部变量
getValue = *(unsigned int*)0x0010;
还是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000);呢？

3. 如果我令MP/MC# = 1（从外部读取复位向量），那么怎么才能访问外部的存储器呢？
是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)0x0010;
还是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000);呢？

4. 接着第3个问题，此时还能访问内部的存储器吗？如果能的话怎么访问内部的存储器呢？如果不能的话，那么内部32K的Flash不是没用了吗；外扩的时候内部32K的Flash是不是始终都有用还是说外扩后就没用了？

只看该作者 · 2007-7-9 13:03

C2000的我不熟，提一下在其它5000系列中的思路供参考：
接到PS#说明是程序空间，如果是汇编就用相关的指令，如果是C，*(unsigned int*)0x0010这种方法肯定不行，这是数据指针，是访问数据空间用的。函数指针才会指向程序空间，但用函数指针来访问数据肯定也不恰当.

能想到的办法中有通过变量，确保它分配到程序空间
1.对于const变量，定义：
const int x;
然后将.const段(前面的.不要漏了)分配到程序空间的Section里面。（C2000里也应该有Page0/Page1吧？前面争了半天的，呵呵）
这个方法只能用于全局变量，因为局部变量是在stack里，不会分配到.const段。还有前面不能加volatile，因为volatile变量处理方法不一样。

2.自定义一个section，比如取名叫mysect,将其也分配到程序空间的Section里。然后在定义变量的前面加上#pragma DATA_SECTION编译指示：
#pragma DATA_SECTION (y, "mysect")
int y;

但这种方法访问数据估计会比较慢，因为程序空间的寻址方式很少，你可以看一一反汇编的代友，一般要先把数据先复制到寄存器或数据空间里再参与运算。不划算吧？所以除常量以外的数据最好都放在数据空间。

只看该作者 · 2007-7-9 14:19

谢谢楼上提醒，但是如果我接的是数据存储器呢？比如DS#接外部数据存储器的片选信号CE#，那么怎么才能使DS#变为0呢？

另外，我访问外部数据存储器地址的0x0010时，我用
unsigned int getValue = 0; //定义一个内部变量
getValue = *(unsigned int*)0x0010;
还是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000);呢？

只看该作者 · 2007-7-9 16:25

1.要想DS#变低，就要访问外部地址空间，
比如将0x8000地址以上映射到extern memory,
访问*(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000)就可以使DS#变低

如果你想外部flash的0地址对应DSP的0x8000，就要将高位地址线A15取反，再跟DS#脚相或，再接到Flash的CE#，低地址A14-A0线一一对应接。这样你访问0x8010时，A15为低，跟DS#相或后仍然是低，选中Flash。但实际操作的是Flash的0x0010地址。

其实也不复杂，只要想好:DSP的引脚输出什么电平，外部芯片需要输入什么电平才能选中，中间加个组合逻辑匹配一下就行了。

如果你用的是32k*16的Flash,只能这样接了。如果是64k或更大的，反正只能用到32k，总是有浪费的。可以直接DS#接Flash的CE#，并将低32k的数据空间由于是映射到内部空间，高32k数据空间映射到外部空间，那么flash的低32k是访问不到的了，高32k与程序中的地址是一一对应的。这样以浪费flash的代价节省接口逻辑。

只看该作者 · 2007-7-9 19:14

如果不用A15取反的话，就永远不能访问前32k了是吗？

因为如果我直接将DS#与Flash的CE#连起来的话，用*(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000)访问的就是存储器的0x8010的地址；而用*(unsigned int*)(0x0010)的话就是访问数据存储器内部的0x0100地址而不是Flash的0x0010地址，是这样吗？

我现在碰到的情况是用DS#接外部一个4M的Flash（共22根地址线）的CE#，地址线A0-A15连Flash的A0-A15，剩下的地址线不够用就用IO口PE0-PE5代替；另外，DSP的RD#接Flash的OE#，WE#接WE#；如果这样的话，是不是说这4M的Flash的前32K也是不能用了？另外，这IO口能代替数据线访问Flash的空间吗？

只看该作者 · 2007-7-9 19:35

只把A0-A14跟DSP总线相联，这样一次可中32k

只看该作者 · 2007-7-9 22:09

非常感谢wowow指点，现在我的硬件已经成型了，地址线A0-A15已经跟Flash的A0-A15连接了，应该怎么办呢？

我往Flash上写东西时，要先往0x555、0x2aa等地址上写一些数据，按照现有的硬件条件怎么才能访问到这些地址呢？

只看该作者 · 2007-7-10 01:59

有的flash的0x555、0x2aa写命令不在意A15是高还是低，这个要看datasheet。

Address format A14-A0 (Hex):
Address A15 is “Don’t Care” for the Command sequence for SST39LF/VF512.
Address A15 and A16 are “Don’t Care” for the Command sequence for SST39LF/VF010.
Address A15, A16 and A17 are “Don’t Care” for the Command sequence for SST39LF/VF020.
Address A15, A16, A17 and A18 are “Don’t Care” for the Command sequence for SST39LF/VF040.

SST39LF/VF200A　SST39LF/VF400A SST39LF/VF800A:
Address format A14-A0 (Hex), Addresses AMS-A15 can be VIL or VIH, but no other value, for the Command sequence.

只看该作者 · 2007-7-10 11:14

1. 假设我要外扩程序存储器，现在我将PS#跟存储器Flash的CE#连接（这里用#表示“反/非”的意思），要使Flash使能就必须使CE#为0，也就是要使PS#为0，那么怎么才能使PS#为0呢？

－－－－mp/mc设为mp模式，访问程序时候ps有效，就是外部空间

2. 如果我令MP/MC# = 0（从内部读取复位向量），那么能访问外部的存储器吗？如果能，那么假设我要读外部存储器0x0010地址处的值时，我应该用什么指令呢？
是
unsigned int getValue = 0; //定义一个内部变量
getValue = *(unsigned int*)0x0010;
还是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000);呢？

－－－－－－－－访问外部什么空间？数据还是程序？

3. 如果我令MP/MC# = 1（从外部读取复位向量），那么怎么才能访问外部的存储器呢？
是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)0x0010;
还是
unsigned int getValue = 0;
getValue = *(unsigned int*)(0x0010 + 0x8000);呢？

－－－－－－8000以后的数据空间自动访问外部的，c语言里的变量分配用cmd文件指定，一般不用绝对地址

4. 接着第3个问题，此时还能访问内部的存储器吗？如果能的话怎么访问内部的存储器呢？如果不能的话，那么内部32K的Flash不是没用了吗；外扩的时候内部32K的Flash是不是始终都有用还是说外扩后就没用了？

－－－－－－内部外部程序空间是重叠的，一般来说是不能同时用的，但是用手动的办法来访问也是可以的，但是不符合c的编译器，不能自动编译出这样的代码

只看该作者 · 2007-7-10 11:27

今天早上考虑了一下，把DS#接个反相器直接与存储器连了，这样我就只用了4M闪存的32k（心痛啊，好浪费！），暂时不管别的了，先把芯片调通了再说；

另外，我用的Flash是AMD（Spansion?）的Am29DL640D，数据手册好大，有六十多页，回去找找看看高位引脚跟命令字节有没有关系？

PS:wowow人品很不错~

只看该作者 · 2007-7-10 15:28

command命令寄存器是不会占用存储空间的，你给具体的地址写数据系统不会识别是写命令或者写数据。不过提供了两个方法防止这种错误
首先一般写数据都要求先写一个命令字，下一个周期写入的数据才能写入，注意memory的集中mode
normal mode似乎写数据之前是需要命令字的，还有一种autoselect mode似乎不用，具体可以详细看看memory的datasheet。
再者一般的命令字都是连续好几个的，闲着没事估计没有人写地址数据刚好和命令字相同。

这个问题倒是问得不错，支持你按你的想法试一下，别忘了在这里说一下结果

只看该作者 · 2007-7-12 22:08

今天试了一下，向Flash编程时可以用0x8555代替0x555，我可以往Flash上写一个字，不过也就一个字；紧接着往第二个字写的时候发现没有用，可能是我的写时序有点问题，明天再看看~

不知道有谁写过读写Flash存储器Am29DL640D类似的程序，如果有的话我想参考一下。我的邮箱为：veshid@gmail.com

只看该作者 · 2007-7-12 22:23

没有看明白什么意思？
命令可以替代，写数据什么意思？
am29dl是异步的吧，如果是的话找别的异步器件参考就行
别人的程序不会那么轻易就送出去的

只看该作者 · 2007-7-12 23:07

我也没看明白

只看该作者 · 2007-7-12 23:43

说得不够明白是吧
简单地说就是写命令字节进A22-A11的状态是无所谓的，这样
*(unsigned int*)(0x0A555) ＝ 0xAA;
*(unsigned int*)(0x0B2AA) ＝ 0x55;
*(unsigned int*)(0x0C555) ＝ 0xA0;
就等价与
*(unsigned int*)(0x0555) ＝ 0xAA;
*(unsigned int*)(0x02AA) ＝ 0x55;
*(unsigned int*)(0x0555) ＝ 0xA0;了，

因为我现在板子的硬件设置访问不了外部Flash 0x8000前的空间，而要往Flash里写数据的话必须写几个命令字节（在555，2aa，555等地址，注意：这些地址都在0x8000前）；所以一开始我以为访问不了Flash的8000前地址，也就不能往这些地址写上东西，但是后来看到A22－A21无关后，就试了一下，发现在555，2aa之类的地址加上8000也无所谓（为什么我要加8000呢? 因为访问8000以上地址，WE#才能变低，所以......）

只看该作者 · 2007-7-13 09:24

看来是你自己没有说清楚
另外你说的那个第二次写不进去的问题，应该是flash不支持页模式，或者你只设置为async模式，这样情况下写一次命令字只允许写一个数据位（如果falsh为16位就是16位）。和时序没有关系

只看该作者 · 2007-7-13 11:27

估计我不止没说清楚，也没有弄清楚，所以稀里糊涂的~
继续说几句吧，看看有没有人搞过类似的芯片，想交流一下：

1. 芯片名字叫Am29DL640D，现在好像已经停产了，官方推荐用S29JL064H代替~
2. 读芯片没什么特殊的，直接读地址就可以了
3. “写”芯片（program flash）就麻烦了：首先要先命令字节，另外还有两种写的模式，一个是常规的，需四个周期，还有一种叫bypass模式，只需2个周期；
4. 有两种擦除模式，一个是Chip Erase，另一个是Sector Erase，是不是在写之前都要擦除一下呢？
5. 另外还有个引脚叫WP#/ACC，好像可以加速读写速度的，具体不清楚，都是英文，看得头都大了，相关中文资料找了好久也没找到什么有价值的，痛苦啊~

我只是奇怪，为什么我用
ProgramFlash(0x8888, 0x1111); //往8888地址写1111
ProgramFlash(0x9999, 0x2222);
getValue1 = ReadFlash(0x8888);//读取8888地址的值
getValue2 = ReadFlash(0x9999);
后，getValue1的值正确，而getValue2的值就不正确呢？
是不是每次读或者写后都必须得验证一下呢？
回去还得好好看看手册~

只看该作者 · 2007-7-13 20:32

1. 芯片名字叫Am29DL640D，现在好像已经停产了，官方推荐用S29JL064H代替~
这个没有问题，基本软件是全部兼容的，而且速度肯定要上去一些，因为采用了更高级的制造工艺，这样spansion的成本也降下来了。
2. 读芯片没什么特殊的，直接读地址就可以了
因为不会破坏内部数据，所以不用写命令。
3. “写”芯片（program flash）就麻烦了：首先要先命令字节，另外还有两种写的模式，一个是常规的，需四个周期，还有一种叫bypass模式，只需2个周期；
模式不止这两种，
4. 有两种擦除模式，一个是Chip Erase，另一个是Sector Erase，是不是在写之前都要擦除一下呢？
在nor flash里面，是由好多sector（块）组成的，擦除的时候可以选择Chip Erase（整片擦除）和sector erase（块擦除）写之前不一定必须擦除，如果你不确定memory里面是否有数据，写之前擦除一下也是很必要的。取决于你自己

5. 另外还有个引脚叫WP#/ACC，好像可以加速读写速度的，具体不清楚，都是英文，看得头都大了，相关中文资料找了好久也没找到什么有价值的，痛苦啊~

wp#/acc管脚也有可能是两个分开，wp#是硬件写保护信号（write protect）有效时软件写操作被屏蔽，可以起到保护的作用。acc是加速的意思，一般烧写器或者工厂大批量烧写的时候用到，比普通的软件在线编程速度快一倍多（不同的器件可能有差异，大致是这个意思）。

其实对于做软件驱动而言，只要关心操作数和时序就可以了，好多种的保护模式实际很少用刀，除非作烧写器或者要大批量生产。

关于资料，memory的资料一般都是英文的，没有办法，技术更新的太快，目前中文有一本译文的，名字好像是《半导体存储器-结构》不确定，不过你网上搜，也只有一本，讲的比较基础，目前市面上常用的memory都有详细介绍。