求教一个单片机控制 MOS管修改

登录 · 发表于 2013-5-5 23:27

上图是我设计用单片机引脚 POWER_DIS 的3V/0V 来控制 4.2V跟VCC2 是否导通。
但是出现的结果是 POWER_DIS=0V是 VCC2=0V，但 POWER_DIS=3V时 VCC2 只能有2.5V 过不到要求，
这个是N-MOS，换成P-MOS 是 POWER_DIS=0V 后面电压能到 VCC2= 4.1V ,但是 POWER_DIS=3V时 VCC2=0.15V

求高手指教一下怎么改才能让POWER_DIS的高低电平能控制 VCC2 有无电

发表于 2013-5-5 23:36

深夜自己先顶一个，明天醒来问题会自己解决的，oh ye!

发表于 2013-5-6 08:23

N沟道的应该用漏极接负载吧

发表于 2013-5-6 08:50

N沟道的S 栅极接负载

发表于 2013-5-6 09:04

e这样可以的，不过要关断的话你的 POWER_DIS 3V电压应该关不了，你MOS的打开关断的电压是多少看看

发表于 2013-5-6 09:09

用P沟道，前面加一NPN三极管

zgf004494 · 发表于 2013-5-6 09:33

前级加个9013再驱动PMOS管

登录 · 发表于 2013-5-6 09:37

参考

登录 · 发表于 2013-5-6 09:54

那用法就跟两个三极管控制差不多了啊，好像我最近查了都只能再加个三极管才能用，哎，看来省不了

登录 · 发表于 2013-5-6 10:09

为什么不可以改成这个样子
当POWER_WIRE=0v 时完全导通
当POWER_WIRE 定义为输入时就相当于上图9013的断开啊，应该后面VCC 就没电了啊

yanyanyan168 · 发表于 2013-5-6 12:54

可以不加三极管也可以实现，把你的控制IO口设置成漏极开漏，然后上拉一个电阻到4.1V，这样绝对可以

发表于 2013-5-6 14:38

控制I/O与源极存在压差问题

发表于 2013-5-6 18:33

这种高边侧控制的需要提高栅极的电压，根据你的需求还是用P管来控制制比较好。

发表于 2013-5-6 20:59

学习下

发表于 2016-11-24 15:45

AO3400 Features

VDS (V) = 30V
ID = 5.8 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 52mΩ (VGS = 2.5V)

发表于 2016-11-24 15:50

其实主要看你NMOS管的Vgs是多少？但是你做为电源开关用途(不知道功率需要多少，就是最大可通过电流多大)，尽量提高你的Vgs。开漏上啦是个办法，但也只有4.2V.

登录 · 发表于 2016-11-24 15:52

本帖最后由 power5000 于 2016-11-24 15:55 编辑

MOS管作为开关管应用的特殊驱动电路；灌流电路

增加了充电限流电阻和放电二极管后，既保证了MOS管的安全，又保证了MOS管，“开”与“关”的迅速动作。

发表于 2016-12-14 10:31

MOS管最好选用内阻小的，这样输出电压就比较接近输入电压

发表于 2016-12-14 14:35

用P沟道管子就好了

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