审评PICkit2

只看该作者 · 2008-6-2 12:10

PICkit2问世已有一段时间了。其Firmware以及配套的应用软件
经过多次的升级，功能已相当全面，已有和ICD2向抗衡的趋势。
我虽然目前还没有购买和制作，甚至还没有亲手使用的经验。
但从网上很全面地资料介绍，对其也有了很多了解。我以为，
PICkit2的最大优势是它的价格。估计它的功能很难真正超过ICD2。

可能马上有人会反驳，PICkit2具有脱机烧片的功能，这是ICD2所不具有的。这的确不错。但从实际而言，这一功能并不有什么发挥的
的机会。可以设想，你在工作中必须在没有计算机（包括笔记本）的
情况下烧片子，有多大的概率？

除了价格优势外，PICkit2的另一长处是便于DIY。这也是众多爱好者
所热衷于的事。而厂家公开了所有的资料以及软件，我们所需要做的
只是依样画葫芦，搭起硬件而已。不是吗？

问题是，硬件图纸能不能进一步简化？从工程上讲，简化是提高产品
可靠性的一大要点（本人认为这是所有设计所要遵行的最主要的准则之一）。

（待续）

1万 · 2008-6-2 13:28

现在要做的,只是要将ICD2在线调试那块移植过来,18F2550的功能比877要强大许多.
另一个要完善的是KIT2的BUG还是比较多,尤其是烧写算法,需要时间来验证克服.
最大的优势是,至少烧写时不用更改操作系统.

只看该作者 · 2008-6-3 04:52

简化设计主要是为了降低造价、减少制作难度。但不应以损失性能
为代价。针对PICkit2 ，我觉有其中以下几个环节可以改动和简化：
（1）去掉脱机烧写功能。这样，U3、U4、C9、C10、R8、R9就可去除。
并且，R33、C16、SW1也可省略。如果U1接口的片内上拉电阻启动的
话，连R32也可省略。

（2）J1可考虑省略，其原因不必多说。

（3）Vdd调节电路和随后的开关控制电路可简化、合并。主要是将
复合管U5省略。开关控制信号Vdd_TGT_P通过一个二极管连在Q1的栅极。
R7可省略，并将R5、R6阻值改为1K。R13省略，R26改为10K（理想值是9.4K）
与Q1漏极D相连。Q1的源极与R34交汇点最好通过一个二极管（1N4001）再接
+5V_USB，以保证能够被关断。C5、C6也可省略，但R34应保留。R31应采用1K
或大一点的。由于U5省略，其周围元件（R12、R16、R30、C11、C12）全可被去除。

（4）高压发生、控制电路中，Q4、Q7、Q8可由一74LS06代替。具体讲，Q7、Q8
各自由74LS06中的一个OC反相器取代，74LS06中剩下的其余4个反相器并联后代替
Q4。74LS06可承受30V的输出电压，估计没问题。由于使用了门电路，R21、R27、
R29可被省略。

（待续）

只看该作者 · 2008-6-3 05:43

上述的那个1N4001不应使用隧道管（隧道管不但价格高，且压降可能过低），
不利于关断Q1。改动后的+V_TGT直接与J3的Vdd相连。R31和R34可取相同阻值。

最后一个改动是接口通信、电平转化部分。仔细分析原图纸，我认为其设计有
明显缺陷，长期运行可能会对U1产生不良影响。假定二极管的正向压降为0.6V，
目标板的运行电压是3.3v。Vdd经D1压降后加在Q2、Q3、Q5基极上的电压为2.7V。
而Q2、Q3、Q5的射极只通过小电阻（10欧）与U1的接口相接。假设Q2、Q3、Q5
的发射结压降也是0.6V，理论上流经R10、R14、R19的电流将是(5-3.3)/10=0.17A。这远远超过了允许值。实际电流可能会小很多，但终究是不合适的。
改动的方法是使用FET-MOS管并采用共栅极方式取代Q2、Q3、Q5，三个管子的栅极
均连在Vdd上。R15、R20省略，R10、R14、R19改用100欧的，能真正起到一些保护。

顺便说一下，电路中的Q1是个关键性器件。选材时应使用低导通阻值、大电流
的器件。

有必要承认，笔者不是硬件工程师，只是这方面的爱好者。以上发言全是纸上谈
兵，并未得到实践应证。若有错误，请各位指正。

1万 · 2008-6-3 09:01

1万 · 2008-6-3 09:01

1万 · 2008-6-3 09:12

（1）去掉脱机烧写功能。这样，U3、U4、C9、C10、R8、R9就可去除。
并且，R33、C16、SW1也可省略。如果U1接口的片内上拉电阻启动的
话，连R32也可省略。

个人认为这是一个特色,有可能被用来做中批量量产烧写器,去掉就不好了.
如果软件消抖做得好,可以省去R33,C16,R32(内部弱上拉)

（2）J1可考虑省略，其原因不必多说。

J1是出厂时烧写口,如用探针,可不插J1,但位置保留.

1万 · 2008-6-3 09:23

（3）Vdd调节电路和随后的开关控制电路可简化、合并。主要是将
复合管U5省略。开关控制信号Vdd_TGT_P通过一个二极管连在Q1的栅极。
R7可省略，并将R5、R6阻值改为1K。R13省略，R26改为10K（理想值是9.4K）
与Q1漏极D相连。Q1的源极与R34交汇点最好通过一个二极管（1N4001）再接
+5V_USB，以保证能够被关断。C5、C6也可省略，但R34应保留。R31应采用1K
或大一点的。由于U5省略，其周围元件（R12、R16、R30、C11、C12）全可被去除。

1万 · 2008-6-3 09:25

（4）高压发生、控制电路中，Q4、Q7、Q8可由一74LS06代替。具体讲，Q7、Q8
各自由74LS06中的一个OC反相器取代，74LS06中剩下的其余4个反相器并联后代替
Q4。74LS06可承受30V的输出电压，估计没问题。由于使用了门电路，R21、R27、
R29可被省略。

成本没有优势.三极管可以使用8050,8550替代.

1万 · 2008-6-3 09:46

最后一个改动是接口通信、电平转化部分。仔细分析原图纸，我认为其设计有
明显缺陷，长期运行可能会对U1产生不良影响。假定二极管的正向压降为0.6V，
目标板的运行电压是3.3v。Vdd经D1压降后加在Q2、Q3、Q5基极上的电压为2.7V。
而Q2、Q3、Q5的射极只通过小电阻（10欧）与U1的接口相接。假设Q2、Q3、Q5
的发射结压降也是0.6V，理论上流经R10、R14、R19的电流将是(5-3.3)/10=0.17A。这远远超过了允许值。实际电流可能会小很多，但终究是不合适的。
改动的方法是使用FET-MOS管并采用共栅极方式取代Q2、Q3、Q5，三个管子的栅极
均连在Vdd上。R15、R20省略，R10、R14、R19改用100欧的，能真正起到一些保护。

不过烧写时时钟脉冲和数据脉冲高电平的时间都非常短(占空比大约20%),影响不大.稍后贴出改进电路

1万 · 2008-6-3 10:33

2万 · 2008-6-3 11:19

俺看看能不能直接用，长期用坏了就坏把，坏了就再要一个，呵呵，我可不想花力气研究它……

只看该作者 · 2008-6-4 02:01

xieyuanbin先生的方案我也考虑到了，它在JDM里面采用过，好像也可以。但我只觉
得还不太完美，担心其不能承受较高速的运行。顺便发表一点看法，
贴图中R11阻值好像太小，应该采用4.7~10K较妥；R10可以省略；

已经把草图画出来了。只知道用Ctrl+PrintScreen截图，其他的就不知道了。
请指教。

只看该作者 · 2008-6-4 02:38

不知道原设计中复合管U5中的N管以及控制信号Vdd_TGT_N
起什么作用？

1万 · 2008-6-4 07:47

这不是JDM上的电路.这是一个双向的数据传输/电平转换电路,不过还有些毛刺.
R11的取值是因为在没有数据输入的时候,R11上的压降应为接近0V,太大了就会和R17,R10形成分压.
R10是为数据读入而设置的,当数据读入时为端口提供高电平.端口的弱上拉有20K以上,不利抗干扰.
U5中的N管是目标电源的负载电阻,目的是泄放目标板滤波电容上存储的电荷防止误判.

1万 · 2008-6-4 09:14

QQ有一个很方便的屏幕截图功能,如果用PRINT SCREEN,需要把剪贴板中的内容粘贴到绘图软件中,比如PHOTO SHOP

2万 · 2008-6-4 09:23

俺从不用QQ或PHOTOSHOP来截图，太慢太麻烦...

只看该作者 · 2008-6-4 19:06

上次做了10个,都送得还剩5个了.性能还相相当不错的.

只看该作者 · 2008-6-4 23:48

http://users.tpg.com.au/btkelly/jdm_b.htm
中的Q2就是这个例子。

如果图省事的话，就用两个1K的电阻分压一下输出，估计不会有问题。

2万 · 2008-6-5 16:45

产生VPP的开关三极管属于功率器件，在此组成DC2DC电路。

审评PICkit2

功能上今后不比ICD2差.这个是MCHP努力的方向.

审评PICkit2 (续)

审评PICkit2 （完）

帮楼主贴两个图

以便讨论

讨论一下

希望贴出图来

继续

的确是个问题

改进后的电平转换电路

呵呵，我直接向代理要了一个，还没到呢……

我不会贴图

有一点我还不明白，

R10也不可省,R11不能太大,

截图用QQ或PHOTOSHOP

截图最好的还是SnagIt

AI

http://users.tpg.com.au/btkelly/jdm_b.htm

74LS06替代三极管不妥

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