关于Mos管桥式连接时的门极误导通电压

只看该作者 · 2008-7-7 13:35

如图所示，在驱动桥式电路的时候，由于分布电容的耦合导致了g1在开通的时候会耦合一个会使g2误导通的脉冲出现，如果这个电压超过g2的Vgs的话，那么就会使g2导通而导致直通。请教的是，有没有办法在不改变驱动波形的上升和下降沿的情况下，去除掉或者减小这个电压吗？

1万 · 2008-7-7 13:48

第一要说的是，你两个管子是一个型号的么？一般是两个型号的吧？G2前加个小电容能行么？加大了不好，一定会烧。
第二要说的是，怎么会耦合过来这么大一个型号，感觉是是通过地的连接串扰过来的吧?多高的频率能通过分布电容弄过来？一个三极管，TO封装的一般可就是6pf左右啊？
第三要说的是，等高手，应该会有办法的。

3万 · 2008-7-7 14:19

应尽量减小驱动的输出阻抗，包括减少G1G2门极串联的电阻

只看该作者 · 2008-7-7 14:22

由于线路分布电感的存在，大电流下，当开关的时候产生了一定的电压，而这个电压又通过结电容耦合到另一个开关的门极上了。
频率不高，只有16k，但是负载大的时候，电流比较大，所以这个电压还是比较可观的。

只看该作者 · 2008-7-7 17:45

现在门极电阻只有33欧了，已经挺小了，主要是其他的地方都已经定好了，现在如果改变驱动的电阻的话，其他地方就又要有改动了。- -!

1万 · 2008-7-7 19:40

这个电压是所谓米勒效应引起的.你能不能把你下桥的驱动电路画出来,看看怎样改进.

只看该作者 · 2008-7-7 20:29

只看该作者 · 2008-7-7 23:57

8楼说的对
这个电压是所谓米勒效应引起的，门极和漏极间存在米勒电容
一般解决办法就是在栅极和源极间并联一个小电容
视功率管的型号，一般这个电容的容量在102-103之间
当然，这会造成一点点开关速度的下降
其实，除了下管会有这个现象，上管也可能会有这个问题。

只看该作者 · 2008-7-8 07:55

已经在gs端并联了一个103的电容，1楼的波形是在加了电容的情况下进行测量的。已经降低了开关的速度，所以现在考虑使用外部的其他电路，在不改变开关速度的情况下对g端的波形进行改善。

只看该作者 · 2008-7-8 23:41

要想G端波形不受影响是不可能的，只要能减小到Vth以下，使它不导通就可以了，
不过现在的管子的Vth越来越小
用负压驱动是一个办法
另外，用一个NPN管，在MOS管关闭的时候，把G端的电位锁死也是办法

只看该作者 · 2008-7-9 14:52

但是效果并不明显。恕小弟愚昧，各位所说的负压驱动是怎么回事吗？

4万 · 2008-7-9 15:01

只看该作者 · 2008-8-24 16:10

我现在也遇到了同样的问题了～～～
就是这个分布电容搞得鬼～～～

只看该作者 · 2018-12-11 09:14

这个确实是由米勒电容引起的，另外这个上管开通时引起下管的过冲，只要这个过冲电压小于VTH，其实达到VTH也并没有多大关系，你可以看下MOS的VTH定义，达到VTH的时候电流其实是非常小的，但不能超过太多；对于这个过冲电压，有两个办法：一是在GS并联一个电容，一般要小于103，太大了，上升时间会过大，开关损耗也会很大；另一个就是在驱动电阻上反并联一个二极管，这样在上管打开时，经过米勒电容过来的快速变化的电流在CISS上引起的电压可以快速通过这个反并联二极管快速钳位；另外加一个NPN三极管也是不错的，这种更好，关断电流不需要流过芯片内部，对芯片有一定的保护。

1万 · 2018-12-11 12:14

驱动力不够。
减小栅极电阻，换更大的驱动IC

1万 · 2018-12-11 12:14

如果不会导致直通就可以不管。

1万 · 2018-12-11 12:15

如果不担心开关时间还可以在栅极并联电容。

关于Mos管桥式连接时的门极误导通电压

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等人。

这个电压是通过漏极门极之间的电容耦合过来的

正确地说

门极电阻

你下桥的驱动电阻太大了.

场管关闭时G极采取负压,保证关闭完全.

对，

正如8楼所说

re

用npn的试过

将G1、G2的栅极串联电阻改成与GS并联

楼主问题解决了吗？

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