|
小弟最近做了一个板子，芯片选用ti的6416，主频600M，emif总线时钟100MHz，外扩4片MT48LC8M16A2，组成64MB的空间，刷新周期设置为700个时钟周期。但是在读写时发现前8M的空间可以正常读写，下面8M不能正常读写，再后面8M又可以，以此类推，也就是说当行地址的最高位为0时，这段空间可以正常读写，当行地址最高位为1时，这段存储空间是不可以正常读写的，但是也不是完全不能读写，在刷新后的几个周期是可以的，一般只可以写进去3到4个数据，后面就写不进去了。我尝试将刷新周期调到20个时钟周期，整个SDRAM空间就都可以正常访问了，但是这样EMIF总线会占用大量的时间去刷新SDRAM，导致读写速度降低。很长时间了，始终没有进展，调试了请问大家有没有好的建议？ |
|
楼主
