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基于弱反型的基准！

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 楼主| xukun977 发表于 2018-7-21 19:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
AC, 温度, 电压, 仿真, 电路


大家闲着没事看看国外的核心期刊，看看最近的发展动向，有什么新思想新方法。
不要一味盯着论坛看！作为版主，讲这个话不合适（应该鼓励大家拼命来逛论坛），但却是大实话。



传统的带隙基准电路架构为：

896.JPG


特点是用BJT的负温度系数VBE，和正温度系数delta VBE相加，得到VBE+17.2VT=1.25V的带隙电压。


最近TW有人提出用工作在弱反型的MOSFET做负温度系数源，然后和delt VBE相加。

674.JPG



优点可能是电路架构比较简单，后仿真性能也不错，有二阶补偿的效果图：

6789.JPG



性能参数为：

电源电压为1.7V时，功耗是24.18uW,输出基准电压是488mV.
在-20℃到120℃，温度系数是8.34PPM




总体来说，这篇**含金量不高，所以只能发表在研讨会期刊上，而且只做到后仿真，没有实测，所以JSSC接受这篇**的概率极低。




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122013137 发表于 2018-7-21 23:38 | 显示全部楼层
M6怎么保证弱反型
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 楼主| xukun977 发表于 2018-7-22 11:03 | 显示全部楼层
122013137 发表于 2018-7-21 23:38
M6怎么保证弱反型


控制漏极电流ID，保持小于2Kn*VT^2就行了。



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