MOS管这样控制，低电平怎么有电压，不是0V

发表于 2020-6-6 21:58

rong212121 发表于 2020-6-5 14:47
这样的电路设计不晓得是否合理的？

不合理，要加个三极管

发表于 2020-6-7 09:22

diego101 发表于 2020-6-6 12:21
可以测一下MOS管开启电压，如果光耦饱和也有可能导致驱动力不足。

谢谢指导，MOS导通没问题的，就是不导通，有电压

发表于 2020-6-7 11:29

15625004279 发表于 2020-6-6 14:34
MOS管的G极加个1K电阻试试

谢谢指导，

发表于 2020-6-7 11:31

zhengy121 发表于 2020-6-6 17:25
把光耦去掉试试

谢谢指导，光耦输出这边 0V 是正常的

发表于 2020-6-7 11:36

gx_huang 发表于 2020-6-6 20:29
这就是不懂硬件，不懂故障排查方法。
NMOS的栅极电压是0，则NMOS截止，S2输出0V。
NMOS的栅极电压是12V左右 ...

谢谢指导，您提的几点都已经排除的；除了 NMOS耐压这点，完全相信资料写的30V没试验，现在也已经试验了，也排除

发表于 2020-6-7 12:16

谢谢大家的耐心指导目前输出端S2 并联了2K 的电阻，电压正常了；导通： 23.6V 不导通 0V

1：以前类似的低端驱动，当然光耦是没有的，MOS 是其他的，都正常的
2：这次拿了1个很小的MOS管，出现这样的问题
3：当我换成不同的2个 24V 外接电源，发现不导通时，电压也是不同的；当然，输出端并联1个2K 电阻，输出都正常

那么这个并联的电阻多大合适，是不是越大越合适？我主要控制电磁阀，继电器之类的；
以后换成其他的MOS，这边的并联电阻是否要加上去，以前没这个想法的，还是说MOS 选型不合理；或者电路压根就有问题

其实现在还是有点模模糊糊，

发表于 2020-6-7 13:44

将R45改成R19的两倍以上试试

发表于 2020-6-7 15:29

如果负载不接测电压，光万用表10M内阻，则只能说明NMOS漏电大，你可以看看NMOS的漏电电流指标，最大估计1uA的级别，实际一般远小于1uA。
别说接2K负载，随便接200K负载，电压就会基本上0V-24V变化。

发表于 2020-6-7 20:39

这说不过去，你的电路图上就画了一个1K的负载

发表于 2020-6-8 12:59

cjseng 发表于 2020-6-7 13:44
将R45改成R19的两倍以上试试

谢谢指导，当初也是考虑这个电压，减小到5V 左右，输出那边还是有电压，所以应该不是这边的问题

发表于 2020-6-8 13:13

gx_huang 发表于 2020-6-7 15:29
如果负载不接测电压，光万用表10M内阻，则只能说明NMOS漏电大，你可以看看NMOS的漏电电流指标，最大估计1uA ...

谢谢指导，有点听不明白。按照资料上，VDS=30v VGS=0V ，漏极电流0.5uA

发表于 2020-6-8 13:14

qq986433936 发表于 2020-6-7 20:39
这说不过去，你的电路图上就画了一个1K的负载

谢谢回复，是否是电路错了？

发表于 2020-6-8 13:44

rong212121 发表于 2020-6-8 13:13
谢谢指导，有点听不明白。按照资料上，VDS=30v VGS=0V ，漏极电流0.5uA

如果VGS=0V，管子截止，理论电流为0，如果是0.5uA，则万用表的内阻10M，电压就是5V了。
如果你实测电压3.1V，说明漏极漏电流是0.31uA左右。
如果这个万用表测量导致的误差都不明白，说明你根本不知道为何要加2K负载电阻，而不是加200K？
就好比2个10M的电阻串联，接到24V电源，你用内阻10M的万用表测试其中一个电阻的电压，你说这个电压是多少？

发表于 2020-6-8 20:48

gx_huang 发表于 2020-6-8 13:44
如果VGS=0V，管子截止，理论电流为0，如果是0.5uA，则万用表的内阻10M，电压就是5V了。
如果你实测电压3. ...

谢谢指导，好像有点明白了。那么如果这样，其实截止的时候，如果没有接上负载，是悬空的，测量电压没什么意义了；应用中，接上负载，其实截止的时候来测量，应该基本0V了

[STM32] MOS管这样控制，低电平怎么有电压，不是0V

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