paopaoyuya 发表于 2020-12-11 22:39

三极管和MOS管驱动电路的使用方法

三极管和MOS管驱动电路的使用方法

tangtang666 发表于 2020-12-11 22:40

三极管和MOS管驱动电路的使用方法

(1)NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V，即发射结正偏(VBE为正)，NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND;
优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
(2)PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V，即发射结反偏(VBE为负)，PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC;
优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
(3)PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth)，PMOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。
(4)NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)超过Vth(即Vgs超过Vth)，NMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通(低电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。

wziyi 发表于 2021-2-17 10:25

学习了

深秋王 发表于 2021-2-27 15:33

基础知识，再学习一下！

YO拉里多 发表于 2021-3-2 09:09

如何用NMOS管做防反接电路

1079379593 发表于 2021-3-3 19:37

三极管判断状态：发射极正偏，集电极反偏，工作在放大状态。发射极正偏，集电极正偏，工作在饱和状态。发射极反偏，集电极反偏，工作在截止状态。

健陈 发表于 2021-4-2 10:29

这个基础知识，还是很不错的

yzq13246068880 发表于 2021-4-19 09:36

TT1000 发表于 2021-5-3 10:10

好东西，学习学习
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