华大HC32F460芯片Flash操作遇到的问题

Aqst666 · 发表于 2021-5-9 16:05

en_result_t EFM_SectorErase(uint32_t u32Addr)
{
uint8_t u8tmp;
uint16_t u16Timeout = 0u;
en_result_t enRet = Ok;
DDL_ASSERT(IS_VALID_FLASH_ADDR(u32Addr));
EFM_ClearFlag(EFM_FLAG_WRPERR | EFM_FLAG_PEPRTERR | EFM_FLAG_PGSZERR |
               EFM_FLAG_PGMISMTCH | EFM_FLAG_EOP | EFM_FLAG_RWERR);
u8tmp = (uint8_t)M4_EFM->FRMC_f.CACHE;
M4_EFM->FRMC_f.CACHE = Disable;
EFM_ErasePgmCmd(Enable);
EFM_SetErasePgmMode(SectorErase);

*(uint32_t*)u32Addr = 0x12345678u;
while(1ul != M4_EFM->FSR_f.RDY)
{
      u16Timeout++;
      if(u16Timeout > 0x1000u)
      {
         enRet = ErrorTimeout;
      }
}
EFM_ClearFlag(EFM_FLAG_EOP);
EFM_SetErasePgmMode(ReadOnly1);
EFM_ErasePgmCmd(Disable);
M4_EFM->FRMC_f.CACHE = u8tmp;
return enRet;
}
单步运行到这句话就会卡死
*(uint32_t*)u32Addr = 0x12345678u;

写256字节数据  会多出来四个字节

martinhu · 发表于 2021-5-10 13:32

F460的扇区大小是8K，楼主看看是不是给的页擦除的地址不对？把代码区擦除了？
另外，多出4字节，应该是写操作代码的问题。

Aqst666 · 发表于 2021-5-12 10:37

谢谢楼上大哥已发现问题，原因是多写了一个校验数据，代码是抄的没有理解透彻感谢您的解答

单片小菜 · 发表于 2021-5-12 14:56

解决问题，就好办多了。

两只袜子 · 发表于 2021-5-12 16:50

哈哈，恭喜恭喜

huquanz711 · 发表于 2021-5-12 18:39

感谢楼主的分享经验

[技术问答] 华大HC32F460芯片Flash操作遇到的问题

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