[其他] MM32F031模拟EEPROM读写内部Flash

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 楼主| probedog 发表于 2021-8-13 09:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
做一个案子,用MM32芯片在内部Flsah上存储数据,去仿照STM32的EEPROM读写Flash,发现不能成功,最后仿真找出问题所在,与大家分享下。读写Flash,分为PAGE0与PAGE1,在PAGE0写满换页时候,将PAGE1页面状态设为接收页接收PAGE0的有效数据,接收完后后,将PAGE1页面状态设为有效页时候,写入不成功,试了很多次,我猜测是芯片不支持PAGE1第二次页面设置的写入。最后只能直接读写,只用一页,写一次完就擦除。
sadicy 发表于 2021-8-14 11:36 | 显示全部楼层
额~~
好吧,我表示,似懂非懂
daichaodai 发表于 2021-8-16 12:19 来自手机 | 显示全部楼层
这是闲的慌啊,非的拿flash做eeprom。
goodnyf123 发表于 2021-9-3 00:43 | 显示全部楼层
我也遇到此类问题,深受启发。不过flash用做eeprom确实担心寿命周期。
两只袜子 发表于 2021-9-14 11:37 来自手机 | 显示全部楼层
哈哈,楼主你是想干嘛
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