[方案相关] 简单实用的FLASH模拟EEPROM程序在HC32L136上的实现

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elsaflower 发表于 2023-3-7 22:17 | 显示全部楼层
HC32L136可以外接多大的flash呢?
 楼主| zhanan 发表于 2023-3-8 17:34 | 显示全部楼层
elsaflower 发表于 2023-3-7 22:17
HC32L136可以外接多大的flash呢?

64k FLASH不够用?做什么项目?需要外挂都是特殊用途,比如挂字库、图库。多大的都有,还嫌少挂TF卡。
这个贴讨论的是用多余的片内FLASH用作eeprom,保存一些项目设置参数。
 楼主| zhanan 发表于 2023-3-8 17:53 | 显示全部楼层
mattlincoln 发表于 2023-3-7 22:06
flash模拟eeprom稳定吗

就模拟eeprom来说,有过之而不及。
eeprom每次都是连擦带写,耗费3-4毫秒。本模拟一般写只耗费53微秒,换页时耗费时间,但换页很少发生。

换页擦除FLASH会使cpu停顿,中断不能及时响应,如果风险,就要避免在需要响应这些中断的情况下写FLASH。这个问题在本身带eeprom的mcu上也是存在的。


lzbf 发表于 2023-3-10 10:01 | 显示全部楼层
flash可以模拟eeprom, 不再需要外置eeprom
macpherson 发表于 2023-3-10 10:06 | 显示全部楼层
这个为什么不直接外接eeprom呢?
nomomy 发表于 2023-3-10 10:16 | 显示全部楼层
可以一字节一字节的写入吗?              
louliana 发表于 2023-3-10 10:23 | 显示全部楼层
EEPROM_Emul还是挺轻量的  
ingramward 发表于 2023-3-10 10:29 | 显示全部楼层
模拟eeprom和eeprom有什么区别
sheflynn 发表于 2023-3-10 10:57 | 显示全部楼层
如何使用片上flash来模拟EEPROM
bestwell 发表于 2023-3-10 11:04 | 显示全部楼层
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作  
uytyu 发表于 2023-3-10 11:15 | 显示全部楼层
直接读写相关的数据不好吗?              
louliana 发表于 2023-3-10 11:32 | 显示全部楼层
把Flash部分扇区当作EEPROM使用??
sanfuzi 发表于 2023-3-10 11:51 | 显示全部楼层
EEPROM可擦写寿命更多,约5万次,FLASH只有10万次,但是速度更快。
burgessmaggie 发表于 2023-3-10 11:58 | 显示全部楼层
flash属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的rom。
wangdezhi 发表于 2023-3-10 13:23 | 显示全部楼层
eeprom与flash 选哪个  
 楼主| zhanan 发表于 2023-3-10 13:30 | 显示全部楼层
louliana 发表于 2023-3-10 11:32
把Flash部分扇区当作EEPROM使用??

是的,
1是大部分应用场景都需要保存非易失参数,比如温控表,温控温度就要在现场确定,下次开机仍然是本次设置的值。所以eeprom应该是标配。
2是现在的mcu没有以前的那种eeprom了,但开放了FLASH读写操作,只好用FLASH模拟eeprom。
 楼主| zhanan 发表于 2023-3-10 13:37 | 显示全部楼层
uytyu 发表于 2023-3-10 11:15
直接读写相关的数据不好吗?

好,FLASH读随便读,无限制。写,只能在地址空间上全是FF的情况下写。改写你怎么做呢?擦除操作会把不想改写的地址也擦掉了哦。
gygp 发表于 2023-3-10 13:58 | 显示全部楼层
这个是否还需要重新编写flash读写程序?
 楼主| zhanan 发表于 2023-3-10 14:43 | 显示全部楼层
gygp 发表于 2023-3-10 13:58
这个是否还需要重新编写flash读写程序?

不用,直接寄存器操作,没用库。
加到你的项目中去,修改一下你用到的页和模拟变量。
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