1.单管DRAM读期间位线充电至1.25V,NMOS导通,位线电容和存储电容两者的电荷重新分配,我看到一个公式是当存储电容为0时位线的电压变化等于1.25*C存/C存+C位,其中C存/C存+C位为电荷传递率.这个公式看不懂当写入一个1到单元时,会损失一个阈值电压,为什么
2.MOS管饱和区沟道已经被夹断了,为什么还有电流而且还是恒定的?沟道上的电压为什么是VGS-VR(VR为阈值电压)
3.MOS管的电容截止时为栅与体之间的电容，导通时栅与体的电容为0，饱和时栅与漏的电容下降，栅与源的电容增加，这是为什么 |
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