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三极管饱和状态电流流向
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三极管正常放大时,集电极电流是基极电流的B倍放大.但当Ib再增加时,Ic的增加就会导致R1上的分压增加,Q1的集电极电位迅速下降,直到Vce很小,Vbe正偏,达到饱和.饱和后Ic也就不再是Ib的B倍了,而是小于B倍. 再从三极管结构来讲:NPN管,当发射极的电子注入(有正向的Vbe)基区,再扩散到集电结边缘.放大区工作时,反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极.当电流逐渐增加,反偏电压就会逐渐减小了.当Ic大到使Vcb为0时,管子进入饱和,就不再有电场吸引这些结边缘的电子了,电子只能是扩散到集电极.当Ic再增加时,Vbc就正偏了,会阻碍电子扩散了,但因为基区电子浓度太大了,所以能够满足Ic.同时也是因为基区电子浓度大,在数字电路中,转换管子状态时,速度会很慢. CE间最主要电阻为集电极电阻,Vce的饱和压降也就近似为这个电阻ro与R1的分压.ro比R1小得多,所以这个分压基本上是0.3V附近. 不管对饱和的定义如何:可以是两个结电压都正偏;也可以是Ic小于Ib的B倍;或者是Ic不再随Ib的增加而增加;甚至于Ib不变,Ic会减小等,归结到一点,我认为都是因为负载分压的变化引起的.然后才是去分析器件内部电压、电子浓度、浓度梯度的变化
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