日志

PNP三极管工作原理

已有 1167 次阅读2012-11-27 00:39 |个人分类:工作学习（work&study）|系统分类:模拟技术| PNP

PNP型三极管和NPN型三极管在结构特点和工作原理方面基本上是相同的。只是由于它的三个区掺杂情况与NPN管不同,所以在外加电压、电流方向等方面存在着差别。因为PNP型锗三极管较多,所以这里以锗管为例介绍PNP型三极管的特点。

PNP三极管的内部结构和外加电压

为了保证三极管工作在放大状态,要求发射结正向偏置,集电结反向偏置。因此,外加电压的方向与NPN管相反,即uBE< 0V , uBC>0V,电源VCC和VBB的正极接发射极,负极分别接集电极和基极,见图2。

图1

PNP型三极管发射区和集电区是P型半导体,基区是N型半导体,如图1(a )所示。它的发射区多数载流子(空穴)浓度很高,集电区空穴浓度较低,基区做得很薄、而且多子(自由电子)浓度很低。

在外加电压作用下,发射区向基区发射空穴,形成射极电流IE ,其方向与空穴运动方向相同,即由发射极流入三极管。基极电流IB主要由外电路补充基区复合掉的自由电子形成的,故其方向是由管子流出基极;集电极电流IC主要由收集的空穴流组成,其方向也是由管子流出集电极。

可见,IE、IB和IC的方向正好与NPN管相反,所以PNP三极管的符号如图1 (b) 所示,发射极的箭头方向指向基极和集电极。由图中可以看出,IE、IB和IC 规定的正方向与实际方向相同,而uBE和uBC规定的正方向与实际方向相反,故uBE 和uCE为负值。