直流有刷电机驱动波形问题请教

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mochou 发表于 2025-9-8 16:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大侠,在测试有刷电机高边驱动门级对地波形时,有点疑问想请教下各位,波形如上图所示,高边MOS门级信号对地有个小尾巴,请问这个小尾巴是什么?正不正常。

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地瓜patch 发表于 2025-9-8 17:43 来自手机 | 显示全部楼层
加电容接地试试,或者串一个小电阻
xch 发表于 2025-9-9 10:36 | 显示全部楼层
是米勒电容效应。
有许多对策。
换个高档的MOSFET会好。换驱动电路。
估计都得加钱。
看波形mosfet 都寄生导通了。容易烧。
XZL 发表于 2025-9-9 12:27 | 显示全部楼层
是空载测试HSD输出波形吗??
coody 发表于 2025-9-9 15:42 | 显示全部楼层
G极串的电阻多大?
hp860629 发表于 2025-9-10 08:44 | 显示全部楼层
coody 发表于 2025-9-9 15:42
G极串的电阻多大?

一般在10-100Ω左右
coody 发表于 2025-9-11 12:08 | 显示全部楼层
hp860629 发表于 2025-9-10 08:44
一般在10-100Ω左右

使用10欧姆,驱动电流最少要0.5A, 应该能抑制,你试试。
MOS截止时D极电压快速上升,D、G间米勒电容导致栅极电压上升,如果Rg够小,吸收电流够大,这个电压将被抑制。米勒效应导致的电压 Vg = R*C*du/dt,R为驱动总电阻,C为米勒电容,du/dt为电压上升率。
 楼主| mochou 发表于 2025-9-12 14:48 | 显示全部楼层
XZL 发表于 2025-9-9 12:27
是空载测试HSD输出波形吗??

带载测试
 楼主| mochou 发表于 2025-9-12 15:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 mochou 于 2025-9-12 15:21 编辑


上图是实际电路用的MOS管的动态参数。

上图是竞品用的MOS动态参数,

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 楼主| mochou 发表于 2025-9-12 17:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 mochou 于 2025-9-12 17:39 编辑
xch 发表于 2025-9-9 10:36
是米勒电容效应。
有许多对策。
换个高档的MOSFET会好。换驱动电路。



电机高边MOS关断时的波形图,电源电压是14V,看了下这个关断米勒电压最大也就是14V,那么VGS几乎为0V,MOS管不会线性导通。这是我个的理解,各位大神怎么分析?

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xch 发表于 2025-9-12 17:41 | 显示全部楼层
mochou 发表于 2025-9-12 17:17
电机高边MOS关断时的波形图,电源电压是14V,看了下这个关断米勒电压最大也就是14V,那么VGS几乎为0V,M ...

这是哪一点电压?VG,VS 不能一起测吗?
 楼主| mochou 发表于 2025-9-13 10:50 | 显示全部楼层
xch 发表于 2025-9-12 17:41
这是哪一点电压?VG,VS 不能一起测吗?

是电机H桥的高边门级对地的驱动波形,关断时的波形。Vgs下周上班时可以在测试下,
XZL 发表于 2025-9-15 09:10 | 显示全部楼层

会不会是换向时产生的反电动势?
XZL 发表于 2025-9-15 09:11 | 显示全部楼层
XZL 发表于 2025-9-15 09:10
会不会是换向时产生的反电动势?

你可以用出电阻负载测试一下,如果波形正常,说明是负载产生的发电动势导致的。
xch 发表于 2025-9-15 09:53 | 显示全部楼层
mochou 发表于 2025-9-13 10:50
是电机H桥的高边门级对地的驱动波形,关断时的波形。Vgs下周上班时可以在测试下, ...

看楼顶波形,高边 MOSFET 在关断驱动周期,假设真的被关断,这时VS 电压等于0伏。可是VG的毛刺却已经超过10V了。也就是VGS大于10伏,与假设矛盾。

所以高边MOSFET 被米勒电容误触发导通。
 楼主| mochou 发表于 2025-9-15 15:21 | 显示全部楼层
XZL 发表于 2025-9-15 09:10
会不会是换向时产生的反电动势?

感觉不像是反电动势,竞品的板子上就没有此波形。
 楼主| mochou 发表于 2025-9-15 16:07 | 显示全部楼层


上面拖尾怀疑是反电动势。

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 楼主| mochou 发表于 2025-9-15 17:13 | 显示全部楼层

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 楼主| mochou 发表于 2025-9-15 17:13 | 显示全部楼层

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 楼主| mochou 发表于 2025-9-15 17:15 | 显示全部楼层
难道是我们选的驱动MOS动态参数和Qg参数偏大导致的MOS门级和OUT输出有拖尾?各位大侠帮分析下,
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