[研电赛技术支持] GD32H757相关随机存储器汇总梳理

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八层楼 发表于 2025-10-10 14:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
一:ITCM RAM
Instruction Tightly - Coupled Memory Random Access Memory 的缩写,即指令紧耦合随机存储器;

快速取指,程序RAM加载, 一般不会默认用于堆栈和全局或静态变量存储;ITCM RAM 被设计用于存储程序指令。在微控制器(如 GD32H7xx 系列)运行过程中,处理器需要不断从存储器中获取指令来执行操作。由于 ITCM RAM 具有高速访问的特性,将常用的程序代码存储在 ITCM 中,可以大大减少取指时间,提高程序的执行效率 。例如,在一些对实时性要求很高的应用场景,如电机控制、工业自动化控制等,快速获取指令能让系统对外部事件做出及时响应。

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在gd32h757中地址范围为:0x0000 0000 到 0x0007 FFFF, 最大512k;

二:DTCM RAM

Data Tightly - Coupled Memory Random Access Memory的缩写 ,即数据紧耦合随机存储器;

在像 GD32H7xx 这类微控制器系统中,DTCM 专门用于存储数据。和 ITCM(指令紧耦合存储器)专注于快速提供程序指令类似,DTCM 为数据的快速访问而设计。它具有高速特性,能让处理器以较快的速度读写数据,适用于对数据访问速度要求较高的场景,比如在一些实时性要求严苛的应用中,快速读写数据可以使系统更及时地处理数据并做出响应 。 通常,程序员可以通过特定的配置,将那些对访问速度敏感的数据(如频繁读写的变量等)放置到 DTCM 中 ,以提升程序整体的数据处理效率。

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地址范围 : 0x2000 0000 - 0x2007 FFFF, 最大512k;

三:AXI SRAM

        AXI(Advanced eXtensible Interface)是一种总线协议,AXI SRAM 是一种通过AXI 总线协议连接的 SRAM(静态随机存取存储器),它与其他类型的 SRAM(如普通片内 SRAM、ITCM、DTCM 等)的核心差异体现在总线接口、性能特性和应用场景上

        通过 AXI 总线的仲裁机制,多个设备(如 CPU 和 DMA)可同时访问 AXI SRAM,无需 CPU 干预即可完成数据搬运(如 DMA 直接将外设数据写入 AXI SRAM),提升系统效率。由于支持多设备共享访问,AXI SRAM 常作为不同模块间的数据 “中转站”。例如:外设(如摄像头)通过 DMA 将数据写入 AXI SRAM,CPU 直接从 AXI SRAM 读取并处理,避免了数据在多个存储器间的频繁拷贝。

        相比之下,普通片内 SRAM(如 SRAM0、SRAM1)通常通过简单的本地总线连接,ITCM/DTCM 则与 CPU 内核 “紧耦合”(直接连接到内核的指令 / 数据总线),接口协议更简单,功能也更单一。AXI SRAM 通常容量较大(如 512KB~ 数 MB),适合存储对速度有一定要求但无需 ITCM/DTCM 级别的数据,例如操作系统的内存池、应用程序的全局数据、中等规模的缓存区等。在运行操作系统(如 RT-Thread、FreeRTOS)的单片机中,AXI SRAM 可作为系统内存的一部分,用于动态内存分配(malloc),而 ITCM/DTCM 因容量小、访问方式特殊,通常不用于此类场景。

        AXI SRAM 的访问速度低于 ITCM/DTCM(紧耦合存储器,单周期访问),但高于外部扩展的 SRAM 或 Flash。

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地址范围 :0x2400 0000 - 0x2407 FFFF, 最大512k;

四:RAM(ITCM/DTCM/AXI SRAM)

该共享 RAM 包含了 ITCM(指令紧耦合存储器)、DTCM(数据紧耦合存储器)和 AXI SRAM。

主要取决芯片型号,型号不同配置种类不同;

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五:SRAM0和SRAM1
        属于普通静态随机存取存储器,通常用于存储程序运行过程中的数据,比如局部变量、函数调用时的临时数据等 。在程序执行时,处理器可以快速访问 SRAM 中的数据,为程序的运行提供数据支持,存储程序运行时产生的数据,像是一些不需要存放在速度更快但容量相对有限的 DTCM 中的普通数据。同时,也可以用于存储一些在不同函数间共享,但对访问速度要求没有达到 DTCM 级别的数据 。

通常用于固件库外设数据缓存,如以太网收发缓存;

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SRAM0:地址范围为0x3000 0000 - 0x3000 3FFF ,大小是 16KB 。

SRAM1:地址范围是0x3000 4000 - 0x3000 7FFF ,容量同样为 16KB 。

六:SDRAM,区别与上面的静态随机存储器

        当芯片内置 SRAM 容量不足(例如需要运行 Linux 系统、处理图像 / 视频数据、缓存大量传感器数据)时,通常会通过外部总线接口外接 SDRAM(同步动态随机存取存储器),以扩展系统的高速存储容量。存储原理:基于电容存储电荷,需定期刷新(动态存储),通常为 8MB~64MB(甚至更大);区别于SRAM:基于双稳态触发器,无需刷新(静态存储),通常为 256KB~4MB(受芯片面积限制);

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