问个关于JFET饱和电流Idss的问题

各位大侠好：今天看模电书看到JFET这节，比如N沟道JFET,当Vds逐渐增加到沟道夹断后为什么说从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随Vds的改变而改变了？

有这个说法吗？应该是IDSS不随VDS的改变而改变

有的，模电书上的原话

我认为“沟道内电场基本上不随Vds的改变而改变了”，对。
”应该是IDSS不随VDS的改变而改变“，也对
研究下，导体中的电场和电流的关系就知道了。

随着Vds增加，隧道（由耗尽层所围成的狭缝）会随之变长。而电场主要就在这个狭缝内，因此电场强度基本不变（V = E L）。而电流（密度）和场强成正比，故电流也基本不变。这就是FET管的电流源工作点。