[电源电路] MOS管DG上面加电容是什么原理?

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 楼主| 雨儿251 发表于 2017-7-7 11:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
这里的C183,不是很明白为什么要加在这里,虽然是no mount不焊接的

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xmar 发表于 2017-7-7 11:52 | 显示全部楼层
C183软启动。
mmuuss586 发表于 2017-7-7 17:11 | 显示全部楼层
抗干扰用的;
启动和关断的时候用;

你可以分析下,根据电容2端电压不能突变的原理;
yuxiaoxu8728 发表于 2017-7-11 11:07 | 显示全部楼层
减小米勒平台,减小关断损耗,这个数字电路无所谓,基本不用
yuxiaoxu8728 发表于 2017-7-11 11:08 | 显示全部楼层
这个上拉要18K那么大吗?
cdlongbo 发表于 2017-7-12 10:08 | 显示全部楼层
仔细分析电容两边的电压不能突变。 这个是PMOS
 楼主| 雨儿251 发表于 2017-7-12 16:01 | 显示全部楼层
实测 是完全没什么用的 ,不太理解为什么加在这里
 楼主| 雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02 | 显示全部楼层
并没有起到想要的作用,加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的,他们加着 我们就必须加,日本客户就这个样子╮(╯▽╰)╭
lfc315 发表于 2017-7-18 18:36 | 显示全部楼层
没有这个电容,当后面电路负载电容很大的时候,MOS打开瞬间可能就挂了
xaorry 发表于 2017-7-21 09:00 | 显示全部楼层
雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02
并没有起到想要的作用,加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的,他们加着 我们就必须加,日本客户 ...

请教一下,加在GS有什么作用?
lfc315 发表于 2017-7-21 14:44 | 显示全部楼层
安装这个电容的时候,R212不能是0Ω
GetItDone 发表于 2017-10-27 14:05 | 显示全部楼层
设置软起动时间的
gx_huang 发表于 2017-10-27 15:18 | 显示全部楼层
别人的设计不一定合理呀。
xiaxingxing 发表于 2017-10-29 14:40 | 显示全部楼层
雨儿251 发表于 2017-7-12 16:02
并没有起到想要的作用,加在GS那里才会有用。这是客户给的参考电路上的,他们加着 我们就必须加,日本客户 ...

加了这个电容,MOS管的关断速度不是减慢了吗?这样关断功耗不就增大了吗?求指教
出尘 发表于 2017-11-2 14:45 | 显示全部楼层
学习下!
尘埃落定~ 发表于 2017-11-19 20:27 | 显示全部楼层
1.这个DG电容在起一个保护作用。
2.100nf/25V这个选型有点不太理解,从截图的电路来说,选取1nF的即可,并且耐压值不需要这么高!左边的是3V3的电源麽,想转换控制Switch电路,应该还有一个control port没有画出来!

emco 发表于 2018-2-18 17:39 | 显示全部楼层
软起动,保护MOS
yes19891989 发表于 2018-2-24 16:03 | 显示全部楼层
mosfet缓启动,防止后端接入大电容时,开通瞬间,大电流烧毁mosfet的作用
愤怒的电容123 发表于 2021-11-8 11:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 愤怒的电容123 于 2021-11-8 11:35 编辑

减小米勒平台,和尖峰电压,减缓开通时的dV/dt,放置芯片过冲损坏,一般在功率半导体行业内门极电容和门极电阻很重要,和MOS芯片或者是IGBT芯片内的寄生电容,寄生电感相互作用,保护芯片
NK6108 发表于 2021-11-12 11:43 | 显示全部楼层
意思岂不是说,牺牲开关速度以破坏湧浪形成的条件 ?!

评论

你的理解是对的。本人最近也设计了类似的电源控制开关电路。电路采用Pmos控制5V电源,对开关速度没有要求,只是在上电时刻控制5V输出。调试过程中,发现Pmos开通速度太快,被控制的5V电源过冲较大,导致后级负载容易出现报警。在DS之间增加电容,降低dv/dt。问题解决。  发表于 2023-6-3 09:30
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