SWM34S的若干疑问

选择SWM34S的原因自然是想做点HMI的设计。刚接触这款芯片，围绕评估板测试了几天感觉很好。SDK化繁为简很人性化。有几个问题想请教一下：

问题1：主频时钟设置为多少为宜。
若不考虑SFC驱动(片外的nor flash)和SDRAM，自然是150MHz满载使用。但如果考虑norflash和sdram，就不能设置为150M了，norflash最大时钟一般支持133M，sdram好像是140M（有资料说SWM34S最高支持140M）。
对于评估板板载的w25q128，测试过主频120M时的1分频，做虚拟U盘时会失败，所以norflash只能2分频，这样norflash带宽损失不小。sdram还未测试，
这样的话，如果norflash和sdram均采用2分频，cpu主频可以为150M，但norflash和sdram时钟频率就只有75M。而如果为迎合外设时钟而主动降低cpu主频，或许这两个外设的时钟会有所提高，但主频马力又上不去了。
该问题有没有最优解？

问题2：norflash的写速度。norflash本身的写速度就不会太快。移植官方的USB Device和fatfs例程实现norflash虚拟U盘，由PC机直接拷贝图片到norflash。移植很简单，PC机写5MB的150个jpg文件，平均速度只有20-30K，写完时间约为2分30秒 - 3分种，慢的出奇。文件删除时间30s还能接受。
有没有优化可能，写速度再提升一下。

问题3：34S内置的RAM只有64K，RTOS，文件系统，DSP库移植完也就差不多了。不知道内置8MB的SDRAM是否可作为变量存储空间（直接总线映射型的那种读写模式）。大估计是支持的，但又存在一个问题。比如IAR开发环境下，通过Linker文件可以指定变量地址。但这时候34S的内置SDRAM其实是还没有做初始化的。NXP的M7是采用DCD方式，在工程中直接配置好SDRAM相关参数，由BOM函数提前初始化好SDRAM。不知道34S是如何处理的，不会是需要预烧一个初始化app吧，这样的话调试主APP会很麻烦吧。

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问题二：

如下图所示，，W25Q128 擦除一个扇区耗时 30--200ms，，写入一个扇区耗时 11.2--48ms，，
最好的情况：1s可以擦写 1000/(30+11.2) * 4K = 97KB
最差的情况：1s可以擦写 1000/(200+48) * 4K = 16KB

通过将扇区擦改成64KB块擦，，擦除一个64KB块耗时150--1000ms，，写入一个64KB块耗时 179.2--768ms
最好的情况：1s可以擦写 1000/(150+179.2) * 64K = 194KB
最差的情况：1s可以擦写 1000/(1000+768) * 64K = 36KB


因此，，将擦除操作由扇区擦，，改成64KB块擦，，可以将擦写速度提升一倍。。

主频时钟和外设时钟是两回事吧

问题3：
可以栈、占内存小的变量用片内SRAM，，SDRAM 用作堆存储，，占内存大的 Buffer、数组都在堆上分配。。

XIVN1987 发表于 2023-8-7 14:33
问题二：

如下图所示，，W25Q128 擦除一个扇区耗时 30--200ms，，写入一个扇区耗时 11.2--48ms，，

这是结合官方例程改的，将4K改为64K
void FlashDiskFlush(void)
{       
    // Write back the cache if it's dirty
    if(FLASH_Cache_Dirty)
    {
//        SFC_Erase(DATA_FLASH_BASE + Flash_Block_Addr, 1);
        
SFC_EraseEx(DATA_FLASH_BASE + Flash_Block_Addr, SFC_CMD_ERASE_BLOCK64KB,0);         
        
        
               
                for(int i = 0; i < FLASH_BLOCK_SIZE; i += 256)
                        SFC_Write(DATA_FLASH_BASE + Flash_Block_Addr + i, (uint32_t *)&FLASH_Block_Cache, 256/4);
               
        FLASH_Cache_Dirty = 0;
    }

逻辑上没错，但SFC_EraseEx函数似乎有点问题，文件下载不了会一直卡顿。如果用扇区擦除SFC_Erase，响应很快，但会丢文件，因为有些扇区没擦的缘故

tomasyong 发表于 2023-8-7 18:30
这是结合官方例程改的，将4K改为64K
void FlashDiskFlush(void)
{       

改成64KB没那么简单，，那个block buffer也得改成64KB，，341 RAM总共才64KB，，所以片内RAM放不下，，还得把block buffer放到SDRAM里面去。。

如果非常在意写入速度，，建议改用 SDNAND，，SDNAND 不需要擦除、直接写，，写入速度至少再加倍。。

SDNAND 也支持普通 SPI 接口，，就是读取速度比 SFC 的 4 线慢。。

XIVN1987 发表于 2023-8-7 22:17
改成64KB没那么简单，，那个block buffer也得改成64KB，，341 RAM总共才64KB，，所以片内RAM放不下，， ...

都改了，修改内容在FlashDisk.c和Flashdisk.h
1-#define FLASH_BLOCK_SIZE        (1024 * 32)   
2- FLASH_Block_Cache放在SDRAM(已提前初始化)     
3-FlashDiskFlush()写更新，擦除按32K擦除
没有用                                 

外设时钟是主频时钟分频得到

tomasyong 发表于 2023-8-8 06:51
都改了，修改内容在FlashDisk.c和Flashdisk.h
1-#define FLASH_BLOCK_SIZE        (1024 * 32)   
2- FLASH_Bloc ...

https://gitee.com/synwit-co-ltd/SWM341_Lib 中已添加 64KB 块擦除支持，，实测速度提升1倍，，可对比修改内容看看哪里没改对

XIVN1987 发表于 2023-8-8 11:16
https://gitee.com/synwit-co-ltd/SWM341_Lib 中已添加 64KB 块擦除支持，，实测速度提升1倍，，可对比 ...

感谢即时回复。测试了一下，跟自己改的效果一样，降速到不到10KB。奇了怪了

tomasyong 发表于 2023-8-8 14:52
感谢即时回复。测试了一下，跟自己改的效果一样，降速到不到10KB。奇了怪了 ...

改成 64KB 块擦除，，速度反而降低了？？

你用的 SPI Flash 什么型号？？你看下它的数据手册，，是不是跟 W25Q128 不一样。。

就是开发板上自带的w25q。这个问题就这样吧。
又来了新问题。当FLASH_Block_Cache放在SDRAM，LCD显存也放在SDRAM。正常二者确实能工作。

但频繁点按复位键情况下，通过上位机烧录的文件会消失，具体表现为PC机上能找到这个盘，所占空间没变，但打开后没文件。
烧录文件后，如果禁止写刷新，即FLASH_Cache_Dirty = 0;  不会有此现象。
如果FLASH_Block_Cache放在内部RAM，似乎也没有这种现象。
表象上似乎SDRAM时序有问题。这样的话就会很麻烦，动了根本了

补充一下：即便FLASH_Block_Cache放在内部RAM，也会有次现象，能出盘符，所占空间也有，但文件丢失。

想要做人机接口的话 需要一定跑系统吗

这个必须得看实际的使用需求吧  

连接可编程序控制器(PLC)、变频器、直流调速器、仪表等工业控制设备，利用显示屏显示，通过输入单元(如触摸屏、键盘、鼠标等)写入工作参数或输入操作命令，实现人与机器信息交互的数字设备,由硬件和软件两部分组成。

处理器的性能决定了HMI 产品的性能高低，是HMI的核心单元

根据HMI的产品等级不同，处理器可分别选用8位、16位、32位的处理器