Cox是什么电容，和cgs,cgd有啥关系？

登录 · 发表于 2024-10-30 19:32

下图是IGBT内部的寄生电容示意图，MOSFET同理。可以看到Cox是多晶硅栅极对衬底的电容，以栅极氧化层为介质，包括下图中的C2,C3,C4。其中，C3,C4是输入电容Cge的一部分，
C2是Cgc的一部分。沟道电阻的公式中出现的Cox特指C3。

发表于 2024-10-30 23:53

图片解释的很清楚

发表于 2024-10-31 10:47

这知识太高端了。

发表于 2024-10-31 10:53

这个是mos的內部构造吗？感觉是学习集成电路的必备

发表于 2024-10-31 16:30

电容根据状态有变化的意思吧

发表于 2024-12-2 14:06

完全看不懂。

发表于 2024-12-2 16:36

Cox 是栅极与衬底之间的电容，这个电容主要由栅极氧化层的介电常数、栅极的面积和氧化层的厚度决定。它是MOSFET中非常重要的寄生电容，因为它决定了栅极驱动所需的电压和电流。

发表于 2024-12-2 16:36

Cox 是栅极与衬底之间的电容，在电路中主要表现为栅极控制信号（输入信号）与源极/漏极之间的电荷存储能力。栅极电压的变化通过Cox作用于沟道，控制载流子流动。

发表于 2024-12-23 23:57

Cox是单位面积上的栅极电容，通常表示为每单位面积的电容值，是场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）的一个重要参数。

发表于 2024-12-26 06:37

在绝缘体上形成的金属栅极与半导体之间的电容就是Cox。这个值对于晶体管的性能和稳定性至关重要。

发表于 2024-12-26 07:39

关于CGS和CGD，它们分别代表源极到栅极之间的电容和漏极到栅极之间的电容。

发表于 2024-12-26 08:26

这两个电容与Cox有关，因为它们在晶体管电路中的位置决定了它们与栅极之间的耦合程度。

发表于 2024-12-26 09:11

具体来说，CGS和CGD的大小会影响晶体管在不同频率下的性能，特别是在高频应用中。

发表于 2024-12-26 10:48

在设计晶体管电路时，需要考虑这些电容的大小以及它们如何影响电路的整体性能。

发表于 2024-12-26 11:51

Cox是场效应晶体管的一个重要参数，而CGS和CGD是与Cox相关的电容，它们在晶体管电路中扮演着重要角色。

发表于 2024-12-26 13:58

这些电容的大小和特性对于晶体管的性能和稳定性至关重要，特别是在高频应用中。

发表于 2024-12-26 14:46

这个确实不太理解，其实有些时候知道元件原理的话，对问题排查会有帮助的

发表于 2024-12-26 15:48

一般来说电容的话，其实就注意耐压，纹波就可以了吧

发表于 2025-1-31 23:47

Cox 是非常关键的电容，它控制了栅极的输入电流，影响着栅极驱动电压的变化速度。

发表于 2025-2-27 11:28

这两种器件的结构相似，因此它们也有类似的寄生电容，尤其是栅极相关的电容

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