BMP561与 BQ27Z561 ESD测试报告对比，哪个更高？

BMP561与 BQ27Z561 ESD测试报告对比，哪个更高？

最近有朋友给我推荐了极海的BMP561产品，ESD设计的比TI好，我不相信，于是就从朋友那里拿到了样品，对ESD/LU进行了实测，结果极海ESD更高，具体高在哪里呢？听我一一道来：

第一：BMP561-HBM高

实验1：HBM人体放电模型测试实验

测试对象:1.Geehy_BMP561单芯片ESD方案，2.BQ27Z561单芯片ESD方案

测试方法：在MK2机台，根据芯片数据手册梳理所有管脚耐压值，电源、IO属性形成pinlist。梳理完pinlist，按照如下组合分配管脚，

HBM  test

All Other Pins To VSS(±)500V~8000V,Step 500V

All Other Pins To BAT(6V)(±)500V~8000V,Step 500V

IO To IO(±)500V~8000V,Step 500V

根据表格pin组合以及步进，pin组合是根据JS-001标准实施，MK2机台执行测试。

调试好自动化测试程序

需设置的参数为（以下来源于数据手册，可公开）：

Pin Group	Type	Pin(s)
VSS	GROUND	B2
BAT(6V)	POWER	D2
IP(2.1V)_TS	INPUT	B1
IP(6.3V)_SRN	INPUT	C1
IP(6.3V)_BAT_SNS	INPUT	C2
IP(6.3V)_SRP	INPUT	D1
IP(6V)_CE	INPUT	D3
IO(6V)_INT	OUTPUT	A1
IO(6V)_PULS	OUTPUT	A2
IO(6V)_SDA/HDQ	OUTPUT	A3
IO(6V)_SCL	OUTPUT	B3
IO(6V)_NU	OUTPUT	C3
IO		A1,A2,A3,B1,B3,C1,C2,C3,D1,D3

测试结果如下：

1. Geehy_BMP561单芯片HBM结果（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外）：

Group	Pin	Pin Name	1
			Zap Level	Criteria
BAT(6V)	D2	BAT	±8000V	Passed
IP(2.1V)_TS	B1	TS	±8000V	Passed
IP(6V)_CE	D3	CE	±8000V	Passed
IP(6.3V)_BAT_SNS	C2	BAT_SNS	±8000V	Passed
IP(6.3V)_SRP	D1	SRP	±8000V	Passed
IP(6.3V)_SRN	C1	SRN	±8000V	Passed
IO(6V)_INT	A1	INT	±8000V	Passed
IO(6V)_PULS	A2	PULS	±8000V	Passed
IO(6V)_SCL	B3	SCL	±8000V	Passed
IO(6V)_SDA/HDQ	A3	SDA/HDQ	±8000V	Passed
IO(6V)_NU	C3	NU	±8000V	Passed
VSS	B2	VSS	±8000V	Passed

Group	Pin	Pin Name	2		3
			Zap Level	Criteria	Zap Level	Criteria
BAT(6V)	D2	BAT	±7000V	CC (after)	±7000V	CC (after)
IP(2.1V)_TS	B1	TS	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IP(6V)_CE	D3	CE	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IP(6.3V)_BAT_SNS	C2	BAT_SNS	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IP(6.3V)_SRP	D1	SRP	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IP(6.3V)_SRN	C1	SRN	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IO(6V)_INT	A1	INT	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IO(6V)_PULS	A2	PULS	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IO(6V)_SCL	B3	SCL	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IO(6V)_SDA/HDQ	A3	SDA/HDQ	±7000V	Passed	±7000V	Passed
IO(6V)_NU	C3	NU	±7000V	Passed	±7000V	Passed
VSS	B2	VSS	±7000V	Passed	±7000V	Passed

结果上看，打了3颗HBM，1颗可以直达8KV，另两颗6.5KV，那么按照水桶效应，整体判定为±6.5KV

2. BQ27Z561单芯片HBM结果：

Group	Pin	Pin Name	1		2		3
			Zap Level	Criteria	Zap Level	Criteria	Zap Level	Criteria
BAT(6V)	D2	BAT	3000V	CC (after Zap)	3000V	CC (after Zap)	3000V	CC (after Zap)
VSS	B2	VSS	3000V	CC (Zap to BAT(6V))	3000V	CC (Zap to BAT(6V))	3000V	CC (Zap to BAT(6V))
IP(2.1V)_TS	B1	TS	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IP(6V)_CE	D3	CE	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IP(6.3V)_BAT_SNS	C2	BAT_SNS	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IP(6.3V)_SRP	D1	SRP	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IP(6.3V)_SRN	C1	SRN	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IO(6V)_INT	A1	INT	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IO(6V)_PULS	A2	PULS	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IO(6V)_SCL	B3	SCL	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IO(6V)_SDA/HDQ	A3	SDA/HDQ	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed
IO(6V)_NU	C3	NU	±3000V	Passed	±3000V	Passed	±3000V	Passed

结果上看，打了3颗HBM，3颗±2.5KV，着实比BMP561低了±4KV.

实验2：CDM带电器件模型测试（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外）

1、Geehy_BMP561单芯片CDM结果

Test Model: CDM TEST		ESD Sensitivity Passed: ±2000V
Unit	Test condition	Sample Quantity	Passed Volts	IV Result Description
C1 C2 C3	CDM 250V~2000V,Step 250V FOR ALL 12 BALLS	3	±2000V	PASS

2、BQ27Z561单芯片CDM结果：

Test Model: CDM TEST		ESD Sensitivity Passed: ±2000V
Unit	Test condition	Sample Quantity	Passed Volts	IV Result Description
C1 C2 C3	CDM 250V~2000V,Step 250V FOR ALL 12 BALLS	3	±2000V	PASS

CDM二者无差别。

第二：BMP561-LU PASS

实验3：LU闩锁效应（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外）

1、Geehy_BMP561单芯片LU结果

Test Model: LATCH-UP test 125C
Unit	Trigger Mode	Test Pin Group	Sample Quantity	Tested Result	V or I Limits
L1 L2 L3	I-Test(positive)	IP(2.1V)_TS	3	PASS +200mA	+3.150V
		IO(2.1V)_NU		PASS +200mA	+3.150V
		IP(6V)_CE		PASS +200mA	+9.000V
		IO(6V)_INT		PASS +200mA	+9.000V
		IO(6V)_PULS		PASS +200mA	+9.000V
		IO(6V)_SCL		PASS +200mA	+9.000V
		IO(6V)_SDA/HDQ		PASS +200mA	+9.000V
		IP(6.3V)_BAT_SNS		PASS +200mA	+9.450V
		IP(6.3V)_SRP		PASS +200mA	+9.450V
		IP(6.3V)_SRN		PASS +200mA	+9.450V
	I-Test(negative)	IP(2.1V)_TS		PASS -200mA	-1.050V
		IO(2.1V)_NU		PASS -200mA	-1.050V
		IP(6V)_CE		PASS -200mA	-3.000V
		IO(6V)_INT		PASS -200mA	-3.000V
		IO(6V)_PULS		PASS -200mA	-3.000V
		IO(6V)_SCL		PASS -200mA	-3.000V
		IO(6V)_SDA/HDQ		PASS -200mA	-3.000V
		IP(6.3V)_BAT_SNS		PASS -200mA	-3.150V
		IP(6.3V)_SRP		PASS -200mA	-3.150V
		IP(6.3V)_SRN		PASS -200mA	-3.150V
	Vsupply Over-voltage test	BAT(6V)		PASS +9.000 V	+600mA

2、BQ27Z561单芯片LU结果：

Test Model: LATCH-UP test@125C
Unit	Trigger Mode	Test Pin Group	Sample Quantity	Tested Result	V or I Limits
L3 L4	I-Test(positive)	IP(2.1V)_TS	3	PASS +200mA	+3.15V
		IP(6V)_CE		PASS +200mA	+9.0V
		IP(6.3V)_BAT_SNS		PASS +200mA	+9.45V
		IP(6.3V)_SRP		PASS +200mA	+9.45V
		IP(6.3V)_SRN		PASS +200mA	+9.45V
		IO(6V)_INT		PASS +200mA	+9.0V
		IO(6V)_PULS		PASS +200mA	+9.0V
		IO(6V)_SCL		PASS +200mA	+9.0V
		IO(6V)_SDA/HDQ		PASS +200mA	+9.0V
		IO(2.1V)_NU		PASS +200mA	+3.15V
	I-Test(negative)	IP(2.1V)_TS		PASS -200mA	-1.05V
		IP(6V)_CE		PASS -200mA	-2.750V
		IP(6.3V)_BAT_SNS		PASS -200mA	-3.15V
		IP(6.3V)_SRP		PASS -200mA	-3.15V
		IP(6.3V)_SRN		FAIL -200mA	-3.15V
		IO(6V)_INT		PASS -200mA	-3.0V
		IO(6V)_PULS		PASS -200mA	-3.0V
		IO(6V)_SCL		PASS -200mA	-3.0V
		IO(6V)_SDA/HDQ		PASS -200mA	-3.0V
		IO(6V)_NU		PASS -200mA	-1.05V
	Vsupply Over-voltage test	BAT(6V)		PASS +9.0 V	+600mA

总结

1、从整体的ESD测试结果来看，对比BQ27Z561单芯片ESD结果，BMP561在HBM比BQ27Z561的高出±4KV，LU 125°高温下BMP561过了，反而TI没过，这一点要为国产芯片点赞！

从未来芯片应用上，抗ESD能力明显强于 BQ27Z561，CDM测试结果一致，两者比较接近。

2、单从HBM/LU来看，BMP561抗静电能力远远优于BQ27Z561，可以支持用户应用于ESD要求高的场景。如：

1、HBM耐压高：HBM测试电压越高（如8KV vs. 4KV），芯片在人体静电放电场景下的防护能力越强，减少因ESD导致的失效风险。

2、LU抗干扰强：更高的LU耐压（如100mA vs. 50mA）意味着芯片在电源噪声或瞬态干扰下更不易触发闩锁效应，提升系统稳定性。

极海产品通过各类认证是芯片进入各自对应领域的必备门槛，需从设计、制造到测试全链条协同优化。

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