急 !我的这个电路图正确吗?

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 楼主| myic200610 发表于 2008-2-23 11:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路如下图所示:
请教:
我的这个电路图正确吗?能实现如下的功能吗?
需实现的功能:当Vin=3.3V时,PACK+停止向V3.3供电;当Vin=0V时,PACK+开始向V3.3供电。PACK+ 为 3.3V-3.6V.

tuwen 发表于 2008-2-23 11:34 | 显示全部楼层

PACK+是多大电压?

用N型MOSFET会有较大的压降。
maychang 发表于 2008-2-23 11:35 | 显示全部楼层

逻辑关系是对的

MOSFET是否能输出,要看你的PACK+有多高。该电源必须大于MOSFET开启电压再加待输出电压并有一定余量。
pengjianxue 发表于 2008-2-23 13:22 | 显示全部楼层

不对

电路不对
1,N沟道MOS在此不对
2,用P沟道MOS, 且源极接PACK+, 漏极接输出,栅极直接接VIN, 要求此P沟道MOS
  的开启电压最大为2到3V,关端电压最小为0.3V到0.5V.

彭建学  上海
maychang 发表于 2008-2-23 13:43 | 显示全部楼层

楼上不对

改用P沟,就改了楼主本来的意图。

pengjianxue 发表于 2008-2-23 13:51 | 显示全部楼层

解释


用P沟道MOS, 且源极接PACK+, 漏极接输出,栅极直接接VIN, 要求此P沟道MOS
  的开启电压最大为2到3V,关端电压最小为0.3V到0.5V.

1,当VIN=3.3V, PCAK+=3.3--3.6V, P沟道MOS的VGS=-0到-0.3V,<关断电压0.5V 
  MOS管关断.
2,当VIN=0V, PCAK+=3.3--3.6V, P沟道MOS的VGS=-3.3到-3.6V,>开启电压2V,
  MOS管开通

彭建学  上海
 
maychang 发表于 2008-2-23 13:57 | 显示全部楼层

回楼上 pengjianxue

你改用P沟管的意见当然比原方案好,省一支管子,成本降低,电路简单,耗电也省。但楼主问的是这个电路“对不对”,而不是“有没有更好的方案”。
pengjianxue 发表于 2008-2-23 13:58 | 显示全部楼层

N沟道在此行不通

N沟道在此行不通
因为:
VIN,PACK+最高为3.3V到3.6V, 即VG(栅极对地)最高3.3V到3.6V,而输出VS要求3.3V, 则VGS最高0V到0.3V, 找不到开启电压0.3V的MOS管.
故,本题设计错误.

彭建学  上海
maychang 发表于 2008-2-23 14:09 | 显示全部楼层

回楼上

“找不到开启电压0.3V的MOS管.”
要是加上这个条件,那么你是对的。
我在前面也说过“MOSFET是否能输出,要看你的PACK+有多高。该电源必须大于MOSFET开启电压再加待输出电压并有一定余量”
pengjianxue 发表于 2008-2-23 14:21 | 显示全部楼层

问题

如果提高pack+, 输出难保证3.3V.MOS管就不能工作于开关状态,而为调整管状态.


彭建学
沉思的鱼 发表于 2008-2-23 17:08 | 显示全部楼层

RE

6楼: 解释 


用P沟道MOS, 且源极接PACK+, 漏极接输出,栅极直接接VIN, 要求此P沟道MOS
  的开启电压最大为2到3V,关端电压最小为0.3V到0.5V.

1,当VIN=3.3V, PCAK+=3.3--3.6V, P沟道MOS的VGS=-0到-0.3V,<关断电压0.5V 
  MOS管关断.
2,当VIN=0V, PCAK+=3.3--3.6V, P沟道MOS的VGS=-3.3到-3.6V,>开启电压2V,
  MOS管开通

彭建学  上海
 
VGS=0- -0.3M<关端电压0.5V。。明显不对。负数怎么可能小于正数~
但是结论是正确的,因为对于PMOS,VGS<开启电压是开通的//
 

anewlife 发表于 2008-2-23 22:36 | 显示全部楼层

支持大家讨论~~~

 楼主| myic200610 发表于 2008-2-24 01:26 | 显示全部楼层

RE

非常感谢大家的指点!

pengjianxue 老师说的非常有道理,我也曾考虑过用P 沟道的MOSFET.现将本人画的此原理图粘贴如下,请大家指点:

并请教:
我的这个电路图正确吗?元器件的参数合适吗?能实现如下的功能吗?
需实现的功能:
当Vin=4.3V时,PACK+停止向V3.3供电;当Vin=0V时,PACK+开始向V3.3供电。

PACK+ 为 3.3V-3.6V;Vin=4.3V;
孤星119 发表于 2008-2-24 09:59 | 显示全部楼层

呵呵.得用P沟道.

xwj 发表于 2008-2-24 13:42 | 显示全部楼层

晕,D1。。。

小嘿 发表于 2008-2-26 00:35 | 显示全部楼层

D1 R1位置互换就可以了

pengjianxue 发表于 2008-2-27 22:41 | 显示全部楼层

回myic200610

1, D1没用,应去掉,至少方向反了.
2, 开关频率不高的话,如仅控制V3.3有无(上电,断电),只保留R1即可.

彭建学 上海
hd12 发表于 2008-2-27 23:06 | 显示全部楼层

电流不大的话用个双极型三极管多方便

shalixi 发表于 2008-2-29 10:09 | 显示全部楼层

LZ的图不能说有错,要看Q1、Q2的选型才能最后判定

zjp8683463 发表于 2008-2-29 16:05 | 显示全部楼层

用PMOS的话逻辑要反下

应该用PMOS,用NMOS不是很好.
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