关于TTL和CMOS电平请教

发表于 2009-8-22 23:49

TTL电平的范围是0到3.6V，对吗？
CMOS电平呢？？
TTL电平的输出接到CMOS，需要在输出端上拉个电阻，
那CMOS输出接到TTL应该怎么接？
谢谢！

发表于 2009-8-22 23:59

呵呵

发表于 2009-8-23 08:50

用cmos电路驱动ttl电路只要满足负载电流的要求就可以了，如果coms不能够满足负载电流，那么可以使用分立元件的电流放大器实现电流扩展！

发表于 2009-8-23 09:25

楼主对TTL和CMOS电平理解不正确。
看看有关datasheet即可。

发表于 2009-8-23 09:43

是的，楼主对TTL和CMOS电平理解不正确

TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。——不管3.3V还是5V都是这个值，门限和电源电压，因为他是电流驱动的！
CMOS电平：逻辑高电平电压接近于电源电压（>0.9~1倍VCC），逻辑低电平接近于0V（<0~0.1倍VCC）。——动作电平电压值受电源电压影响，因为它是电压驱动的，也就是上下对称的MOS互相争抢。

附上CMOS/TTL、3.3V TTL逻辑电平标准
比较项目 VOL  VOH VIL VIH  VCC  GND
5V CMOS  0.5 4.44 1.5 3.5 5    0
5V TTL    0.4 2.4    0.8 2    5    0
3.3V TTL 0.4 2.4    0.8 2    3.3    0

网上资料一搜一大把，建议ＬＺ自己先去看过再说。

发表于 2009-8-23 11:11

CMOS只要输出能力够就可以直接驱动TTL，反之未必。不过现在应该尽量使用CMOS电路，如用74HC系列替代74LS系列，替代时需注意电平兼容性，而使用74HCT系列则是完全兼容TTL的CMOS系列，可直接替代74LS系列。做设计时，只有认真阅读器件资料、掌握器件特性才能做出最适合的设计。

发表于 2009-8-23 12:08

TTL输出加上拉电阻驱动CMOS,会不会产生电流倒灌？

发表于 2009-8-23 12:15

没关系，只要二者电源电压相同就不会有问题，举个例子别用5V TTL通过上拉电阻去驱动12V的CMOS就行。

发表于 2009-8-23 12:18

嗯我是看有人3.3V的TTL输出加上拉电阻驱动5V 的CMOS

发表于 2009-8-23 15:45

在网上好好搜下，总结的很好的。我都忘了呵呵。。用起来的时候再说哈

发表于 2009-8-23 17:13

低电源电压侧能否采用加上拉电阻的办法来驱动高电源电压侧必须考量低电源电压侧输出的性质，电源倒灌是有严格限制的，而是否会发生倒灌及灌电流的大小由输出级的电路结构决定，另外对某些器件而言，这么用还存在闩扣效应的问题，需具体情况具体分析。

发表于 2009-8-23 18:12

chunyang 所说的闩扣效应，是不是就是人们常说的可控硅效应呢？能否详述一下？

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