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sunwave 发表于 2016-10-13 08:51 谢谢maychang哦,您很热心。电路是有点复杂,但实际电路如此,我琢磨不透。因为需要测试的电阻范围比较大, ...
maychang 发表于 2016-10-13 09:06 我也不知道原电路设计是什么目的要让MOS管在大电流时导通。 用这种方法测量大电阻,误差比较大,所以比较 ...
sunwave 发表于 2016-10-13 09:15 测大电阻的时候,MOS管是不通的,也就是正常的四端法测电阻,为什么会误差比较大? ...
maychang 发表于 2016-10-13 09:27 四端法测量电阻,本质是测量电阻两端的电压,首帖图中S+和S-两端就是接电压测量设备的。 但任何电压测 ...
sunwave 发表于 2016-10-13 09:45 嗯,您说的有道理。我这里S+和S-后面接的是OP177,它的共模输入阻抗,我查了一下,典型值是45M,并且有串 ...
sunwave 发表于 2016-10-13 10:50 还是想搞明白,为什么当电流在1A、100mA、10mA、1mA四档时Drive一直是高电平?等待中。。。。 ...
corset 发表于 2016-10-13 17:05 打开场效应管,可能是启动二极管的胁位保护,让在大电流测试情况下,信号电压不超过0.7V。 ...
sunwave 发表于 2016-10-13 19:27 请问corset,二极管的胁位保护是什么意思?怎么个工作原理?
sunwave 发表于 2016-10-14 09:03 是嵌位保护?我想了一下,是不是这样工作的:正常运行的时候,虽然MOS管打开,但是由于RX上的电压不超过0.7V, ...
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