Flash模拟为EEPROM

发表于 2016-11-20 22:22

CY8C24423的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次，竟然是10次，这么少，大家有方法应对吗？

发表于 2016-11-20 22:25

最要命的是还是在室温条件下

发表于 2016-11-20 22:27

解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大使用外部温度传感器也不可能,成本太高

发表于 2016-11-20 22:29

一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

发表于 2016-11-20 22:33

尽管按楼上可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。因此只适合个别的，如只放一个固定的表格，或不会“频繁”操作使用的情况。

发表于 2016-11-20 22:36

我的理解:温度设置正确的时候寿命的确很长.但是温度不正确的时候(误差20度)寿命太短.

发表于 2016-11-20 22:39

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，

发表于 2016-11-20 22:41

问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性

发表于 2016-11-20 22:42

不可能10回吧，有这么挫的芯片？一般EEPROM都能10万回以上的。

发表于 2016-11-20 22:44

楼主看错了吧

发表于 2016-11-20 22:46

十次不太可能吧，这么少谁都不会接受的。

发表于 2016-11-20 22:52

还是都回去看看datasheet再回来讨论吧

发表于 2016-11-20 22:55

晕，竟然没有搜到，看来不能在这随便说话了。