我用芯片驱动MOSFET，测VGS电压只有7V，但对地测量G极有34V，

发表于 2008-1-13 19:48

那位高手指点下，我用芯片驱动MOSFET，测VGS电压只有7V，但对地测量G极有34V，为什么呢，这样的驱动电压够吗,驱动MOSFET有那些单电源的驱动芯片吗

发表于 2008-1-13 20:31

发表于 2008-1-13 20:55

IRF2807，这个管子在VGS=10V才能达到110A电流

发表于 2008-1-13 21:04

这只应是N channel,增强型的吗？

发表于 2008-1-13 21:36

这样Rds增大，只到Mos关断

发表于 2008-1-13 21:40

是N型的，空载时3.4V，带25A电流时是7V，但老是击穿MOSFET管，怀疑VGS驱动不足，

发表于 2008-1-13 21:52

发表于 2008-1-13 22:27

图以下：

发表于 2008-1-13 22:28

芯片图

发表于 2008-1-13 23:18

那么 VS=27V。但 VD=24V, 所以首先数据测的就有点问题 就算 VG=30V 吧，由于负载是感性的，瞬间可能会有 VS≈-0.7V，这时 VGS&gt30V 很少有 MOSFET 能承受这么高 VGS VG 很高时，是不能用源极跟随电路的

发表于 2008-1-13 23:32

10楼的VGS&gt30V是怎么算来的呢，没测只有7V呀，IRF3205  VD=55V的

发表于 2008-1-14 09:07

发表于 2008-1-14 09:18

为什么一定要用源极输出？有什么理由吗？

发表于 2008-1-14 09:25

芯片与控制需要，我们是控制四组相同的电路负载输出的，四组线圈负极共用，电路控制正极输出到线圈

发表于 2008-1-14 13:50

LZ 似乎搞不明白这两个的区别？ 因为 VG=35V，VS≈28V，所以 VGS=VG-VS≈7V 之所以 VS≈28V，是因为 VD≈28V，也就是主电源是 28V 要满足VGS=10V，LM9061 的输出必须比主电源（BAT1）高 10V 假设 LM9061 升压 15V，那 LM9061 的电源不能低于 BAT1-5V

发表于 2008-1-14 21:16

15V稳压没有起到作用。言下之意，charge pump没有正常工作

发表于 2008-1-14 21:30

发表于 2008-1-15 17:21

就是利用电荷泵升压，将输入逻辑高电平变成 VG=VCC+X（VCC 是 LM9061 的电源），输入逻辑低电平仍变成 0V，实际就是一个高电平驱动器 随电源电压和负载变化，X = 7～15V 根据 VCC=19.9V，VG=34V，可以判断，这里 X≈14V，显然 LM9061 工作正常。 但是 VGS = 7V，那最可能的就是 VS 有问题，LZ 直接测一下 VS 问题就清楚了

发表于 2008-1-16 20:00

回20楼，VS电压是电源电压减去MOSFET的压降即0.3v,

我用芯片驱动MOSFET，测VGS电压只有7V，但对地测量G极有34V，

相关帖子

你是什么Mos?

IRF2807

我想你是负载是从S端接出的。

7V可以打开，如果你的负载电流过大时你的Vgs就更小了

是N型的，空载时3.4V，带25A电流时是7V

把图贴上来看看，才好分析。

图纸

芯片的

VGS=7V, VG=34V

10楼的VGS>30V是怎么算来的呢

选PMOS比较合适

线圈应该放到电源正端

芯片与控制需要

我说的是 VG，不是 VGS

VGS=7V是错误的

你的负载电源需要经过一二极管给VRM芯片供电

看了一下 LM9061 手册

回20楼，

浏览过的版块

技术新星奖章

偶尔光临

核心会员奖章

沉静之湖泊

技术奇才奖章

经常做客

坚毅之洋流

技术导师奖章

十世金身