[技术求助] 使用MOSFET

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 楼主| zhenykun 发表于 2019-1-16 17:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

我们在设计中试图使用XTR111来产生4到20mA电流回路,正如xtr111的APPLICATION BLOCK DIAGRAMS fig 46所描述的那样。
我们能在STN3PF06的Q1中使用MOSFET吗?
wyjie 发表于 2019-1-16 17:15 | 显示全部楼层

没看懂啥意思
lizye 发表于 2019-1-16 17:18 | 显示全部楼层
你是想问MOSFET可以用STN3PF06?
jlyuan 发表于 2019-1-16 17:23 | 显示全部楼层

为何不用手册推荐的管子呢
dengdc 发表于 2019-1-16 17:26 | 显示全部楼层
最笨的办法就是比较你的管子和人家推荐这几个在几个关键参数上的差异
zhanghqi 发表于 2019-1-16 17:29 | 显示全部楼层

SBOS375C –NOVEMBER 2006–REVISED JUNE 2011
我看这个手册上的  Q1 就是个 MOSFET. 而且是个 PMOS.
不能随便替代.
当然: STN3PF06. P-CHANNEL 60V - 0.18Ω - 3A 的管子应该是可行的.
wyjie 发表于 2019-1-16 17:32 | 显示全部楼层
一般建议按照推荐电路来设计    这样成功的概率比较大   
jiajs 发表于 2019-1-16 17:36 | 显示全部楼层
如果确实想换管子   那就要真正吃透技术手册   看看场效应管   有哪些参数需要考虑   呵呵
zhaoxqi 发表于 2019-1-16 17:39 | 显示全部楼层
Fig 46 里的 Q1 就是个 MOS 管. 由于系统由反馈回来来控制电流, 并不单纯靠 MOS 管的参数.
lizye 发表于 2019-1-16 17:42 | 显示全部楼层
应该是可以的, 当然MOS 管的类型, 功耗和散热问题也是要满足的
zhanghqi 发表于 2019-1-16 17:45 | 显示全部楼层
XTR111来产生4到20mA电流回路,,这个方案比较常见的
lizye 发表于 2019-1-16 17:49 | 显示全部楼层
主要参数的还是需要重视的
 楼主| zhenykun 发表于 2019-1-16 17:53 | 显示全部楼层

哦,好,多谢啦
ioikiui8 发表于 2019-1-17 15:21 | 显示全部楼层
应该是可以替换的,对比下两个管子的参数就知道了。
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