mm32f103rbt6的datasheet和开发板上硬件设计不一致，参考哪个设计？

发表于 2019-4-24 17:16

开发板的电源去耦是100nF，datasheet推荐10nF，开发板上外部晶体加了1MRf电阻，而datasheet上典型应用表示反馈电阻在单片机内集成了，不需要加。

发表于 2019-4-24 18:24

我是这样做的：1. 对于100MHz以下的M0/M3芯片退耦电容，通常设计为100nF;2. 对于我们目前的M0/M3,并接在X1/X2两端的电阻建议在510K，并且还需要串接一个510欧姆的电阻为好。谢谢！

发表于 2019-4-25 07:39

zhu^zhu 发表于 2019-4-24 18:24
我是这样做的：1. 对于100MHz以下的M0/M3芯片退耦电容，通常设计为100nF;2. 对于我们目前的M0/M3,并接在X1/ ...

感谢回复。现在搞得晕头转向了，我们设计一般都是以datasheet为白皮书的，严格按照datasheet设计的，datasheet上没有就参考官方的开发板资料。现在这样的情况不知道哪份资料具有可借鉴性，请问您有相关资料吗？

发表于 2019-4-25 12:04

敬佩您对技术严谨的作风！
作为版主我与您同感！我们的白皮书写的是有点差或是很差！希望在我手头事情完成之后，重新编写的白皮书能给您一个满意的答复！
对于当下的退耦电容和外接振荡器的电阻，请按我的提示设计。谢谢！

发表于 2019-4-25 15:10

zhu^zhu 发表于 2019-4-25 12:04
敬佩您对技术严谨的作风！
作为版主我与您同感！我们的白皮书写的是有点差或是很差！希望在我手头事情完成 ...

首先表示理解并且强烈支持国产。
版主所说的晶振连接方式我在MM32F103xx_n 用户手册中看到了，MM32F103xx_m用户手册中RF晶振时芯片内部有了，且不需要串接电阻，请问我用RBT6开发，RBT6是属于MM32F103xx_m类的，晶振采用哪种连接方式较好。

发表于 2019-4-25 15:56

本帖最后由 zhu^zhu 于 2019-4-29 13:26 编辑

外部时钟电路请参考一下附图：

发表于 2019-4-25 16:35

zhu^zhu 发表于 2019-4-25 15:56
外部时钟电路请参考一下附图：

ok，谢啦

[MM32硬件] mm32f103rbt6的datasheet和开发板上硬件设计不一致，参考哪个设计？