开关器件选择

发表于 2008-12-11 20:53

小弟设计了一个控制系统,这个控制电路对功耗要求很高.原先的设计如下: 利用低功耗比较器max917输出正负2.5V的方波驱动两个mosfet开关(负载),一个N型一个P型,当电压为正2.5V使开启N管,当电压为负2.5V使开启P管.N型和P型的管的栅极电容都比较,看数据手册上栅极和源极最低只须1V就可以开启. N型和P型开关的信号为交流耐压50V,电流10mA左右的信号. 但是发现电路的功耗为0.322uW,希望降低到0.1uW左右. 不知道可否不用mosfet而用三极管,可控硅或者其他器件来做开关器件来降低功耗.因为目前的电路中的功耗主要来自于这两个mosfet的关断(负载) 请牛人指点

发表于 2008-12-11 21:52

发表于 2008-12-12 10:59

Ron越小越好，整个mos管的损耗由导通、泄漏损耗、开关损耗、驱动充放电组成，mos管开通损耗=0.01*0.01*Ron，泄漏损耗=U*I泄漏，开关损耗由驱动波形的上升下降速度、开关频率决定。

发表于 2008-12-12 11:06

发表于 2008-12-13 21:10

你做的是开关电源吗？

发表于 2008-12-14 00:13

主要是开关时，栅极电容的充放电需要耗电。 如果开关频率较高，选用栅极电容较小的MOS管。

发表于 2008-12-15 09:44

小弟不是做开关电源 而是一个课题利用压电材料做能量回收的,即振动能转化成电能,所以对电路的功耗要求比较高.真是谢谢大家的指点. 我也认为是开关时，栅极电容的充放电需要耗电。 但是很奇怪的是,我又作了一快电路 还是利用低功耗比较器max917输出正负2.5V的方波驱mosfet开关(负载),这个电路利用两个低功耗比较器输出两路信号驱动两个P型mosfet,当电压为正2.5V关闭P管,当电压为负2.5V使开启P管.P型的管的栅极电容比小,和原先的电路是一个型号. P型开关的信号与原先的信号相同,为交流耐压50V,电流10mA左右的正弦信号. 但是发现电路的功耗为0.750uW,比原来的电路消耗还要大.不知道是什么原因,难道max917输出正2.5V时对p型mosfet的截止消耗功耗比较大.

发表于 2008-12-15 09:46

抱歉,打错了电路功耗为0.750mW

发表于 2008-12-15 22:40

你没测一下不让运放输出方波,固定输出在2.5V或-2.5V时的静态电流,如果能达到要求的话,加电阻,再加二极管或三极管或其它什么能实现P管栅极不低于1.5V,N管栅压不高于-1.5V(这是根据你说的1V栅源电压即可开启导通而定的),这样可以大大降低翻转时P管和N管同时导通的时间,也就降低了电流消耗.

发表于 2009-3-21 14:16

开关器件选择

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你的mos管的Ron是多少？你的控制驱动波形是否边沿陡峭？

这个功耗... 已经够小的了.

开关电源？

MOS管静态控制几乎不消耗功率

多谢各位

抱歉

看看这样行不行

这样的功耗已经很小了

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