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关于电容的模型！

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 楼主| xukun977 发表于 2020-4-1 13:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
电容, 模型, AC, 器件, 电路
本帖最后由 xukun977 于 2020-4-1 13:21 编辑


昨天的小文中（半导体器件与模型），继续花大量篇幅说模型的问题，以前就此话题也是强调了N多遍！

之所以强调，是因为分析电路，取决于模型的选择，正确的选择模型，能保证又快又准的分析问题。

昨天的小文中已经说了，器件的模型，理论上有无穷无尽个，当然了，也可以只有一个模型，就能分析99%的问题，但是这个模型太复杂了，对于设计师来说，毫无用处！

以运放为例，下图这个模型，几乎可以分析所有的运放电路问题：

717925e841c80a5084.png



但是这个模型，对于电路设计师来说，是毫无用处的，也是没有必要的。


以电容的模型为例：

201075e841d2312b5a.png



如果上图中金属箔的面积是A，介质层厚度是d，介电常数是e，那么电容的一阶模型是：


808425e841d98712e8.png


也就是说，电容的模型就是一个理想电容。


如果这个电容用于较长时间的储能，那么上面这个模型是不够的，即便电容是开路的，电容极板上的电荷也随时间衰减，所以此时必须再加个电阻：



832485e841e6156ab9.png




如果实际电容是先充电，然后短路放电，那么这个放电电流具有阻尼振荡的特征，这个行为与放电电流相关的磁场储能有关，那么此时电容的模型要加串联电感和电阻：



100045e841f1a04ba2.png


而对于工作于直流条件下的有极性电容，实际模型会更复杂，至少需要借助于二极管建模。


总而言之，模型是不固定的，不唯一的，随着器件的应用场合改变而改变。





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