PMOS高边驱动保护电路

登录 · 发表于 2020-6-12 11:03

本帖最后由 windzhanglei 于 2020-6-12 12:08 编辑

图1 是网上看到的。在PMOS的G和S直接加了稳压二极管。我想他的意思应该是为了防止Vgs过压：情况一、当G极出现较大尖峰电压，稳压二极管D411正向导通，形成泄放回路，起到保护作用；情况二，当S极出现相对G极的较大尖峰，稳压二极管工作，把Vgs电压稳定在PMOS可以承受的范围内。对应第二点有些疑问：出现第二条这张情况的时候，如果没想控制PMOS导通，稳压二极管D411工作以后把Vgs维持在一个合适的电压，这个时候PMOS导通了啊！感觉这中保护，还不如炸个管子。还是我的理解处理问题。
换成开关二极管可以吗，如果S极（电源+）有尖峰脉冲，s和D极是等电位的，没关系，只要保证这个尖峰脉冲不要超过VDS最大值就行，改成图3。D8是VR 60V肖特基二极管或者稳压二极管

发表于 2020-6-12 11:23

干脆给GS并个电容

发表于 2020-6-12 11:25

LcwSwust 发表于 2020-6-12 11:23
干脆给GS并个电容

S和G之间并个电容是不是影响PMOS开关速度，发热增加

发表于 2020-6-12 17:08

用在12V就不需要稳压管。

发表于 2020-6-13 09:56

coody 发表于 2020-6-12 17:08
用在12V就不需要稳压管。

还有一个问题，这个需要在G和S之间加电容，考虑启动电流吗？

PMOS高边驱动 保护电路

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