栅极驱动能力不足

发表于 2025-3-27 15:37

如果 PWM 直接驱动 NMOS，而没有专门的 MOS 驱动芯片，可能会导致栅极电压上升或下降速度过慢，使 NMOS 在线性区停留时间较长，导致发热。

MOSFET 的栅极电荷 Qg 较大，PWM 信号的驱动能力较弱，无法快速充放电 MOS 栅极。

解决方案：

使用专门的 MOSFET 驱动器。

降低栅极电阻，加快充放电速度，典型值 10Ω~100Ω。

确保 PWM 信号的电压足够高一般逻辑级 MOSFET 需要 >5V，功率 MOSFET 需要 10V-15V。

发表于 2025-3-27 20:07

是的，遇到过这个问题，说是栅极电阻是为了防止震荡的。一般100欧姆，然后拉低到地的电阻推荐10K，也不知道是不是这个配比是通用的

发表于 2025-3-27 20:37

所以有栅极驱动专用芯片

发表于 2025-3-27 20:37

用三极管好像也可以提升栅极驱动能力

发表于 2025-3-27 20:53

电机控制或者PID控制什么的时候用这个电路

发表于 2025-3-28 13:57

栅极电阻没有100欧的，可以用1K的吗

发表于 2025-4-24 15:53

PWM 信号的驱动能力较弱，无法快速充放电 MOS 栅极。

发表于 2025-4-25 17:26

PWM 信号的驱动能力通常较弱，因为它主要来自 MCU 或简单的逻辑电路，而这些信号的输出电流通常不足以快速充放电 MOSFET 栅极，从而限制了开关速度。

[学习资料] 栅极驱动能力不足

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