过流导致的热损耗

发表于 2025-3-28 11:36

负载过大，导致 NMOS 承受过高的电流。

负载短路或异常，使 NMOS 长时间承受大电流，导致 I²R 损耗过大。

解决方案：

监测 NMOS 的工作电流，确保不超过额定值。

在电路中加入限流电阻或过流保护电路。

发表于 2025-3-28 13:17

这个就需要在S串联一个100mΩ的电阻采集电流了。

发表于 2025-3-28 13:18

开启不彻底也会发热吧

发表于 2025-3-28 14:08

采集电路如何做比较好

发表于 2025-3-28 14:16

NMOS是只能做开关还是可以像三极管一样放大小信号呢？

发表于 2025-3-28 23:43

在设计电路时，如何预防过流导致的热损耗呢

发表于 2025-3-29 10:24

如果负载短路异常，如何快速检测并解决呢

发表于 2025-3-29 16:03

如果负载短路异常，如何快速检测并解决呢

发表于 2025-3-29 16:05

如果电路中已经加入了限流电阻，还需要监测NMOS的工作电流吗

发表于 2025-3-29 16:54

如果NMOS开启不彻底也会发热，那如何保证NMOS的完全开启呢

发表于 2025-3-31 19:01

通过调整功率来控制温度

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