Flash擦写次数限制在实际中影响大吗？

发表于 2025-5-16 09:26

STM32G0的Flash擦写次数限制在实际应用中影响显著，若未优化，高频写入将导致Flash快速失效。

发表于 2025-5-16 17:16

若在同一位置频繁擦写，可能在使用寿命内达到极限，导致数据保存异常。

发表于 2025-5-16 17:17

可以采取分区域写入或者磨损均衡算法延长Flash寿命

发表于 2025-5-16 17:17

采用循环存储策略，用空间换取时间。

发表于 2025-5-16 17:19

对保存的数据进行压缩，减少实际写入量，从而降低Flash的擦写频率。

发表于 2025-5-16 21:13

超高频写入场景可以考虑使用外部EEPROM+Flash冗余备份

发表于 2025-5-16 22:00

用EEPROM仿真可减少实际写入量，延长Flash寿命。

发表于 2025-5-31 18:34

延迟写入，先存到 RAM，条件满足（如定时、掉电中断）再写 Flash

发表于 2025-6-3 22:27

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[STM32G0] Flash擦写次数限制在实际中影响大吗？